上海华力微电子有限公司韩晓婧获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利调节器件电学参数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115510793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211343837.7，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权调节器件电学参数的方法是由韩晓婧设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本调节器件电学参数的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种调节器件电学参数的方法，包括：根据沟道尺寸建立全局模型；将全局模型划分为多个局部模型；将器件非位于四个角上的局部模型提取出来作为第一局部模型，其余局部模型作为第二局部模型；将第一局部模型的长度和宽度分别修改为全局模型的长度和宽度，将修改后的第一局部模型输入仿真器进行仿真，使得第一局部模型包含的所有器件的预测电学参数的拟合曲线与实际的电学参数的拟合曲线吻合，得到此时的第一局部模型的所有器件的沟道的仿真尺寸；将第一局部模型的所有仿真尺寸在坐标系上形成第三局部模型，对第二局部模型和第三局部模型进行仿真，以得到预测电学参数。本发明提高了调节模型参数的效率，省时省力。
本发明授权调节器件电学参数的方法在权利要求书中公布了：1.一种调节器件电学参数的方法，其特征在于，包括： 根据所有器件的沟道尺寸在坐标系上建立全局模型，所述全局模型为大尺寸方格； 将所述全局模型划分为多个局部模型，所述局部模型为小尺寸方格； 将所述器件非位于所在小尺寸方格的四个角上的局部模型提取出来作为第一局部模型，其余局部模型作为第二局部模型； 将所述第一局部模型的长度和宽度分别修改为所述全局模型的长度和宽度，并将修改后的第一局部模型输入仿真器进行仿真，使得第一局部模型包含的所有器件的预测电学参数的拟合曲线与实际的电学参数的拟合曲线吻合，得到此时的第一局部模型的所有器件的沟道的仿真尺寸；以及 将第一局部模型的所有器件的沟道的仿真尺寸在所述坐标系上形成第三局部模型，对所述第二局部模型和第三局部模型进行仿真以得到所有所述器件的预测电学参数。
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