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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210904251.7，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法是由汤寅;熊威;赵杨杨;王霄;杨勇设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法在说明书摘要公布了：本发明公开了硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法，包括如下步骤：备片、生长复合介质、第一次吕字型槽光刻、刻蚀介质、第二次吕字型槽光刻、ICP刻蚀、各向异性腐蚀、玻璃钝化、光刻玻璃、玻璃腐蚀。本发明通过三层复合介质钝化、各向异性腐蚀出吕字型正梯形台面，以及多次玻璃钝化、腐蚀实现玻璃框架成型。该种正梯形台面具有良好的玻璃填充效果，且成型后的玻璃框架可以为梁式引线T型串联对管芯片提供优良的支撑和外围保护，且可通过光刻版图布局的改变拓展至梁式引线单管、环形4管堆或其他梁式引线集成结构。通过本方法形成的玻璃框架成型工艺具有图形精确可控、一致性高、可拓展性强等优点，且工艺简单易行。

本发明授权硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法在权利要求书中公布了：1.硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、备片：选用市售硅片备用，并采用王水预处理15分钟； S2、生长复合介质层：采用LPCVD工艺或PECVD工艺在硅片表面生长复合介质层，复合介质层为SiOSiSiO的三层膜结构，其中间层为Si，其余层为SiO，SiOSiSiO三层膜厚度依次为 S3、第一次吕字型槽光刻：光刻出吕字型介质刻蚀的图形，版图横截面尺寸为L2； S4、介质刻蚀：去除S3光刻后裸露的复合介质层； S5、第二次吕字型槽光刻：光刻出ICP刻蚀的图形，版图横截面尺寸为L1； S6、ICP刻蚀：采用垂直刻蚀工艺在S5光刻后的槽内刻蚀出垂直台面结构，刻蚀深度为h； S7、各向异性腐蚀：对S6刻蚀后的硅片进行各向异性腐蚀，达到目标深度H，形成正梯形台面结构； S8、玻璃钝化：对硅片进行玻璃钝化，填充正梯形台面； S9、光刻玻璃：对吕字型槽内硅岛区域进行光刻； S10、腐蚀玻璃：对裸露出的硅岛台面进行腐蚀，去除其表面的玻璃，完成玻璃框架成型；其中，L1、L2、h、H满足以下关系，θ为正梯形台面的腰与垂直方向的夹角： L2＝L1+2h×tanθ； S1中的硅片晶向为100； S7中采用体积浓度为10％～15％的TMAH溶液对硅片进行各向异性腐蚀，腐蚀温度为60-80℃。

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