南亚科技股份有限公司罗翊仁获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利晶圆对晶圆互连结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110153824.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权晶圆对晶圆互连结构及其制造方法是由罗翊仁设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆对晶圆互连结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制造晶圆对晶圆互连结构及其制造方法，所述制造晶圆对晶圆互连结构包括形成具有至少两部分的第一蚀刻停止层于第一基板的第一表面上，且形成空隙于第一蚀刻停止层的一部分中。第二蚀刻停止层形成于第二基板的第一表面上，且将第一基板的第一表面与第二基板接合，其中第二蚀刻停止层对准空隙。通过使用第一蚀刻停止层与第二蚀刻停止层为蚀刻停止层，形成从第一基板的第二表面进入到第一基板的第一开口，且形成穿过空隙到第二基板的第二开口。第一硅穿孔形成于第一开口中，且第二硅穿孔形成于第二开口中。
本发明授权晶圆对晶圆互连结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造晶圆对晶圆互连结构的方法，包括： 沉积金属层于第一基板的第一表面上； 图案化所述金属层以形成第一蚀刻停止层，其中所述第一蚀刻停止层包括第一部分与第二部分，其中所述第二部分中形成孔； 共形地沉积第一绝缘层于所述孔的表面上； 用第二绝缘层覆盖所述第一蚀刻停止层，且在所述第二部分的所述孔中的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间形成空隙； 形成第二蚀刻停止层于第二基板的第一表面上； 接合所述第一基板的所述第一表面至所述第二基板的所述第一表面以使所述第二蚀刻停止层对准所述空隙； 通过使用所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层为蚀刻停止层，形成从所述第一基板的第二表面进入到所述第一基板的第一开口与穿过所述空隙到所述第二基板的第二开口； 形成氧化物衬里于所述第一开口的侧壁与所述第二开口的侧壁上；以及 形成第一硅穿孔于所述第一开口中与第二硅穿孔于所述第二开口中。
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