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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110681620.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器是由W·帕金森;J·奥图尔;N·富兰克林;T·特伦特设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器在说明书摘要公布了：本发明题为“具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器”。在具有交叉点结构的存储器阵列中，在每个交叉点结处，可编程电阻式存储器元件诸如MRAM设备与阈值开关选择器诸如双向阈值开关串联连接。在具有此类存储器单元的双层交叉点结构中，一层中的MRAM设备相对于另一层中的MRAM设备被反转。当阈值开关选择器在感测操作中首次接通以更快速地耗散时，这可以允许跨MRAM设备施加的瞬态电压尖峰，从而降低在可以感测到所存储的数据状态之前改变所存储的数据状态的风险。

本发明授权具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 非易失性存储器，包括： 衬底； 一个或多个存储器阵列，所述一个或多个存储器阵列形成在所述衬底上，所述阵列中的每一个阵列包括： 第一组导电线，所述第一组导电线沿平行于所述衬底的表面的第一方向延伸； 第二组导电线，所述第二组导电线形成在所述第一组导电线上方并且沿平行于所述衬底的所述表面的第二方向延伸； 第三组导电线，所述第三组导电线形成在所述第二组导电线上方并且沿所述第一方向延伸； 第一多个存储器单元，所述第一多个存储器单元各自连接在所述第一组导电线中对应的一条导电线和所述第二组导电线中对应的一条导电线之间，所述第一多个存储器单元中的每一个存储器单元包括与磁阻随机存取存储器MRAM设备串联连接的阈值开关选择器，所述第一多个存储器单元中的每一个存储器单元的所述MRAM设备包括： 具有固定磁场极性的基准层；和 自由层，所述自由层与所述基准层串联连接并且具有可编程磁场极性，其中所述自由层形成在所述基准层下方；和 第二多个存储器单元，所述第二多个存储器单元各自连接在所述第二组导电线中对应的一条导电线和所述第三组导电线中对应的一条导电线之间，所述第二多个存储器单元中的每一个存储器单元包括与MRAM设备串联连接的阈值开关选择器，所述第二多个存储器单元中的每一个存储器单元的所述MRAM设备包括： 具有固定磁场极性的基准层；和 自由层，所述自由层与所述基准层串联连接并且具有可编程磁场极性，其中所述自由层形成在所述基准层上方。

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