ASM IP私人控股有限公司井上尚树获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利薄膜沉积过程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113981412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835864.5，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权薄膜沉积过程是由井上尚树设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积过程在说明书摘要公布了：提供了一种薄膜沉积过程，其允许高精度控制沉积在衬底上的薄膜的面内分布。该过程是一种通过原子层沉积ALD在室中的衬底上沉积薄膜的过程，其包括重复沉积循环以在衬底上沉积薄膜。沉积循环包括以下步骤：将反应气体和载气供给到室，并将浓度降低的源气体供给到室，以允许源气体吸附在衬底上；将反应气体和源气体供给到室，以允许源气体吸附在衬底上；将反应气体和载气供给到室，以从室中吹扫未吸附在衬底上的源气体；向室施加RF功率，以将反应气体转变成等离子体，使得允许由等离子体激活的源气体与衬底的表面接触；以及将反应气体和载气供给到室，以从室中吹扫未反应的源气体和反应气体。
本发明授权薄膜沉积过程在权利要求书中公布了：1.一种通过原子层沉积ALD在室中的衬底上沉积薄膜的过程， 所述过程包括重复沉积循环以在衬底上沉积薄膜， 所述沉积循环按顺序包括以下步骤： 将反应气体通过第一管线和将载气通过第二管线供给到室，并将浓度降低的源气体通过第三管线和第四管线供给到室，以允许源气体吸附在衬底上，所述第二管线连接到所述第三管线和所述第四管线，所述第三管线通过包含源气体的储存器连接到所述第四管线，所述第三管线连接在所述第二管线中的阀的上游，所述第四管线连接在所述第二管线中的所述阀的下游，所述阀是打开的； 关闭所述阀，从而将反应气体和源气体供给到室，以允许源气体吸附到衬底上； 将反应气体和载气供给到室，以从室中吹扫未吸附在衬底上的源气体； 向室施加RF功率，以将反应气体转变成等离子体，使得允许由等离子体激活的源气体与衬底的表面接触；以及 将反应气体和载气供给到室，以从室中吹扫未反应的源气体和未反应的反应气体。
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