三星电子株式会社朴钟昊获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有多个阻挡图案的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010710454.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有多个阻挡图案的半导体装置是由朴钟昊;李炳训;车承根;金完敦设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多个阻挡图案的半导体装置在说明书摘要公布了：提供了半导体装置。半导体装置包括：第一有源图案，其位于衬底的第一区上；一对第一源极漏极图案，其位于第一有源图案上；第一沟道图案，其位于所述一对第一源漏图案之间；以及栅电极，其横跨第一沟道图案延伸。栅电极位于第一沟道图案的最上面的表面和至少一个侧壁上。栅电极包括：第一金属图案，其包括p型功函数金属；第二金属图案，其位于第一金属图案上，并且包括n型功函数金属；第一阻挡图案，其位于第二金属图案上，并且包括包含钨W、碳C和氮N的非晶态金属层；以及第二阻挡图案，其位于第一阻挡图案上。第二阻挡图案包括p型功函数金属。
本发明授权具有多个阻挡图案的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一有源图案，其位于衬底的第一区上； 一对第一源极漏极图案，其位于所述第一有源图案上； 第一沟道图案，其位于所述一对第一源极漏极图案之间；以及 栅电极，其横跨所述第一沟道图案延伸， 其中，所述栅电极位于所述第一沟道图案的最上面的表面和至少一个侧壁上，并且 其中，所述栅电极包括： 第一金属图案，其包括p型功函数金属； 第二金属图案，其位于所述第一金属图案上，所述第二金属图案包括n型功函数金属； 第一阻挡图案，其位于所述第二金属图案上，所述第一阻挡图案包括包含钨W、碳C和氮N的非晶态金属层；以及 第二阻挡图案，其位于所述第一阻挡图案上， 其中，所述第二阻挡图案包括所述p型功函数金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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