株式会社迪思科高桥宏行获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010650925.6，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权晶片的加工方法是由高桥宏行;和田健太郎;渡边义雄;横尾晋设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，抑制晶片的外周的粘接带或环状框架被干蚀刻加工。晶片的加工方法具有如下的步骤：框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的静电卡盘工作台隔着粘接带而对框架单元的晶片进行吸引保持；遮蔽步骤，利用罩部件将环状框架和粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及干蚀刻步骤，在实施了框架单元保持步骤和遮蔽步骤之后，向蚀刻腔室提供气体而对晶片进行干蚀刻。
本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，其中， 该晶片的加工方法具有如下的步骤： 框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元； 框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的卡盘工作台隔着该粘接带而对该框架单元的晶片进行吸引保持； 遮蔽步骤，利用罩部件将该环状框架和或在该环状框架与该晶片之间露出的该粘接带的环状区域覆盖，将该环状框架和该粘接带的该环状区域收纳于相对于外部密闭的密闭空间的内部，相对于外部空间进行遮蔽，使惰性气体流入到该密闭空间的内部，从而使该密闭空间的内部为正压；以及 干蚀刻步骤，在实施了该框架单元保持步骤和该遮蔽步骤之后，向该蚀刻腔室提供气体而对该晶片进行干蚀刻。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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