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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112236869B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980036289.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由小林英智;池田隆之;中川贵史;广濑丈也;胜井秀一设计研发完成，并于2019-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种校正阈值电压来提高运算精确度的半导体装置。该半导体装置包括第一电流源电路及第二电流源电路，第二电流源电路具有与第一电流源电路相同的结构。第一电流源电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第一至第三节点。第一晶体管的第一端子与第一节点电连接，第一晶体管的背栅极与第二晶体管的第一端子及第一电容器的第一端子电连接。第一晶体管的栅极与第二节点电连接，第一电容器的第二端子与第一晶体管的第二端子电连接。第一电流源电路的第一节点与第一及第二电流源电路的第二节点电连接。通过对第一晶体管的背栅极写入校正电压，改变第一晶体管的阈值电压。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一电流源电路及第二电流源电路， 其中，所述第二电流源电路具有与所述第一电流源电路相同的结构， 所述第一电流源电路包括第一至第四晶体管、第一电容器、第二电容器及第一至第三节点， 所述第一晶体管的第一端子与所述第二晶体管的第一端子及所述第一节点电连接， 所述第一晶体管的背栅极与所述第三晶体管的第一端子及所述第一电容器的第一端子电连接， 所述第三晶体管的第二端子与所述第二节点电连接， 所述第一晶体管的栅极与所述第三节点电连接， 所述第一电容器的第二端子与所述第一晶体管的第二端子电连接， 所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的第一端子及所述第二电容器的第一端子电连接， 所述第二电容器的第二端子与所述第二晶体管的所述第一端子电连接， 所述第一电流源电路构成为： 当所述第三晶体管处于导通状态时，通过从所述第二节点向所述第一晶体管的所述背栅极写入第一校正电压，来改变所述第一晶体管的阈值电压；以及 当所述第三晶体管处于截止状态时，利用所述第一电容器保持所述第一晶体管的所述第二端子与所述背栅极之间的电压，并且，所述第一电流源电路的所述第一节点与所述第一电流源电路的所述第三节点及所述第二电流源电路的所述第三节点电连接。

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