深圳市思远半导体有限公司贺江平获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市思远半导体有限公司申请的专利一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112054668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010997228.8，技术领域涉及：H02M1/44；该发明授权一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路是由贺江平;王俊喜;孙晓良设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，包括：ESD器件、设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻、第一寄生三极管、第二寄生三极管、第三寄生三极管以及外部电源；第一寄生三极管以及第二寄生三极管的基极与ESD器件的集电极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的发射极与ESD器件的基极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的集电极分别与外部电源连接；第三寄生三极管的基极分别与ESD器件的基极以及第一寄生三极管的发射极连接，第三寄生三极管的发射极与ESD器件的发射极连接，第三寄生三极管的集电极分别与ESD器件的集电极、第一寄生三极管的基极以及第二寄生三极管的基极连接。本发明能够提高ESD器件抗闩锁效应的能力。
本发明授权一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路在权利要求书中公布了：1.一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，包括： ESD器件；设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻；第一寄生三极管；第二寄生三极管；第三寄生三极管以及外部电源； 所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管的基极分别与所述ESD器件的集电极连接，所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管的发射极分别与所述ESD器件的基极连接，所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管的集电极分别与外部电源连接； 所述第三寄生三极管的基极分别与所述ESD器件的基极以及所述第一寄生三极管的发射极连接，所述第三寄生三极管的发射极与所述ESD器件的发射极连接，所述第三寄生三极管的集电极分别与所述ESD器件的集电极、所述第一寄生三极管的基极以及所述第二寄生三极管的基极连接。
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