英飞凌科技奥地利有限公司R.西米尼克获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010435225.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件是由R.西米尼克;M.胡切勒设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，其具有第一导电类型的漂移区、形成在漂移区上方的第二导电类型的体区、以及通过体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；在半导体衬底中形成的多行刺形场板结构，刺形场板结构通过源极区和体区延伸到漂移区中；条形栅极结构，其形成在半导体衬底中并将相邻行刺形场板结构分离；以及第一导电类型的电流扩散区，其形成在半导体台面中的体区下方，所述半导体台面在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间并且没有条形栅极结构。电流扩散区被配置为增加半导体台面中的沟道电流分布。
本发明授权具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底，其包括第一导电类型的漂移区、形成在漂移区上方的第二导电类型的体区、以及通过体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区； 在半导体衬底中形成的多行刺形场板结构，刺形场板结构通过源极区和体区延伸到漂移区中； 条形栅极结构，其形成在半导体衬底中并将相邻行刺形场板结构分离；以及 第一导电类型的电流扩散区，其形成在半导体台面中的体区下方，所述半导体台面在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间并且没有条形栅极结构，电流扩散区被配置为增加所述半导体台面中的沟道电流分布， 其中电流扩散区包括在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间纵向延伸并与条形栅极结构中的近邻条形栅极结构相交的条带。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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