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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010151584.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体装置的形成方法是由蔡国强;陈志辉设计研发完成，并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的形成方法。此处所述的鳍状场效晶体管装置与其形成方法中，源极漏极接点的电阻电容功率损失降低，且源极漏极接点与栅极通孔之间的工艺容许范围增加。金属隆起物可形成于第一材料的源极漏极接点的第一凹陷中。金属隆起物与接点通孔可由第二材料形成，且接点通孔可形成于金属隆起物上，以提供鳍状场效晶体管的混合的源极漏极接点，且源极漏极接点与金属隆起物之间的界面具有大表面接点面积。介电填充材料及或顺应性的接点蚀刻停止层可用于形成隔离区于源极漏极接点的第二凹陷中，以加大鳍状场效晶体管的栅极接点与隔离区之间的工艺容许范围。

本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 使一第一源极漏极接点的一第一部分凹陷及一第二源极漏极接点的一第二部分凹陷，以分别形成一第一凹陷及一第二凹陷于一鳍状场效晶体管装置的一第一介电层中，且该第一源极漏极接点及该第二源极漏极接点由一第一金属材料形成； 形成一第一介电材料于该第一源极漏极接点上的该第一凹陷中，该第一介电材料与该第一介电层的材料不同； 沉积一第二金属材料以形成一金属隆起物于该第二凹陷中，该金属隆起物物理接触该第二源极漏极接点，该第二金属材料与该第一金属材料不同，且该金属隆起物与该第二源极漏极接点之间的一界面的第一宽度小于该源极漏极接点的宽度； 沉积一蚀刻停止层于该金属隆起物上，该蚀刻停止层物理接触该金属隆起物和该第一介电材料； 沉积一第二介电层于该蚀刻停止层上； 蚀刻一开口穿过该第二介电层和该蚀刻停止层并自该第二介电层露出该金属隆起物；以及 沉积一第三金属材料于穿过该第二介电层的该开口中，该第三金属材料物理接触该金属隆起物以形成一源极漏极接点通孔，且该源极漏极接点通孔与该金属隆起物之间的界面的第二宽度小于该第一宽度。

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