富士电机株式会社大西一永获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010249079.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具是由大西一永;增泽贵志;乡原広道设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具在说明书摘要公布了：本发明提供使用简易结构的段差治具的半导体模块的制造方法。提供一种半导体模块的制造方法，其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法，包括：通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。提供一种半导体模块，其具备鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体，散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
本发明授权半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块的制造方法，其特征在于，是鳍片一体式的半导体模块的制造方法，所述制造方法包括： 通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤；以及 在所述散热基座上焊接半导体组装体的步骤， 在对所述散热基座进行加压固定的步骤中，通过将所述段差治具的第一突起部、第二突起部、连结部连结，从而以所述散热基座的长边方向上的两端的高度比中央的高度高的方式对所述散热基座进行加压固定，所述第一突起部具有第一高度，所述第二突起部具有比所述第一高度低的第二高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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