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龙图腾网获悉南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体探针卡中探针的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120685944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511127357.0，技术领域涉及：G01R3/00；该发明授权一种半导体探针卡中探针的制备方法是由权军赫设计研发完成，并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体探针卡中探针的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体探针卡中探针的制备方法，在中间产品的顶面形成第二光刻胶层，曝光显影镀膜形成第一金属支臂；在第一金属支臂和第二光刻胶层的顶面形成第三光刻胶层，曝光显影镀膜形成第一金属支柱；去除所有光刻胶层；在硅基板、第一金属层和第一金属支臂未被覆盖的顶面形成第四光刻胶层，曝光显影镀膜形成第二金属支柱；在第一金属支柱、第二金属支柱和第四光刻胶层的顶面以及第一金属支柱和第二金属支柱之间形成第五光刻胶层，曝光显影镀膜形成第二金属支臂；去除所有光刻胶层。本发明提供的一种半导体探针卡中探针的制备方法,可以有效防止探针断裂，提高探针的使用寿命。

本发明授权一种半导体探针卡中探针的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体探针卡中探针的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤10，在中间产品的顶面涂敷光刻胶，形成第二光刻胶层5；所述中间产品包括硅基板1、覆盖在硅基板1顶面部分区域的第一金属层2、嵌设在硅基板1中的探针针尖31和位于探针针尖31顶端的探针针体32，探针针体32与第一金属层2之间以及硅基板顶面其它区域均覆盖有第一光刻胶层4； 步骤20，在第二光刻胶层5的预设位置进行曝光显影，形成第一支臂生长位51；所述第一支臂生长位51位于第一金属层2和探针针尖31的上方； 步骤30，利用电镀方法在第一支臂生长位51形成第一金属支臂6； 步骤40，在第一金属支臂6和第二光刻胶层5的顶面涂敷光刻胶，形成第三光刻胶层7； 步骤50，在第三光刻胶层7的预设位置进行曝光显影，形成若干间隔布设的第一支柱生长位71； 步骤60，利用电镀方法在第一支柱生长位71形成若干第一金属支柱8； 步骤70，去除第一光刻胶层4、第二光刻胶层5和第三光刻胶层7； 步骤80，在硅基板1、第一金属层2和第一金属支臂6未被覆盖的顶面涂敷光刻胶，形成第四光刻胶层9； 步骤90，在第四光刻胶层9的预设位置进行曝光显影，形成位于相邻两个第一金属支柱8之间的第二支柱生长位91； 步骤100，利用电镀方法在第二支柱生长位91形成第二金属支柱10； 步骤110，在第一金属支柱8、第二金属支柱10和第四光刻胶层9的顶面涂敷光刻胶，形成第五光刻胶层11； 步骤120，在第五光刻胶层11的预设位置进行曝光显影，形成第二支臂生长位111； 步骤130，利用电镀方法在第二支臂生长位111形成第二金属支臂12； 步骤140，去除第四光刻胶层9和第五光刻胶层11。

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