南京云极芯半导体科技有限公司刘欢获国家专利权
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龙图腾网获悉南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种探针卡的探针尖端的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120652129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511157344.8，技术领域涉及：G01Q70/16；该发明授权一种探针卡的探针尖端的制作方法是由刘欢设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种探针卡的探针尖端的制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体领域，公开了一种探针卡的探针尖端的制作方法，提高铑层在探针尖端的附着力，延长探针的使用寿命。该方法包括：步骤10、采用溅射工艺，在已沉积氧化膜的晶圆上表面形成种子层；所述晶圆具有探针尖端区域；步骤20、在种子层上方旋涂光刻胶，形成光刻胶层；步骤30、在光刻胶层上方，通过掩模对探针尖端区域进行选择性曝光，在探针尖端区域形成待电镀区；步骤40、对步骤30处理后的晶圆进行电镀前处理；步骤50、对步骤40处理后的晶圆，在待电镀区电镀铑层；步骤60、采用电镀工艺，在铑层上方沉积镍层；步骤70、采用电镀工艺，在镍层上方进行电镀，在待电镀区内形成探针尖端。
本发明授权一种探针卡的探针尖端的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种探针卡的探针尖端的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤10、采用溅射工艺，在已沉积氧化膜101的晶圆1上表面形成种子层；所述晶圆具有探针尖端区域102；所述种子层包括钛层2和第一铜层3； 步骤20、在所述种子层上方旋涂光刻胶，形成光刻胶层4；所述光刻胶层4覆盖整个种子层； 步骤30、在所述光刻胶层4上方，通过掩模对探针尖端区域102进行选择性曝光，在探针尖端区域形成待电镀区； 步骤40、对步骤30处理后的晶圆进行电镀前处理； 步骤50、对步骤40处理后的晶圆，在所述待电镀区电镀铑层5； 步骤60、采用电镀工艺，在所述铑层5上方沉积镍层6； 步骤70、采用电镀工艺，在所述镍层6上方进行电镀，在所述待电镀区内形成探针尖端7。
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