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龙图腾网获悉四川和恩泰半导体有限公司申请的专利一种基于静电防护的芯片传输与封装系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511127000.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种基于静电防护的芯片传输与封装系统及方法是由王建全;邓飞宇;何雪梅;王悦聪;李保霞;陈星宇;刘耀;罗昌海设计研发完成，并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于静电防护的芯片传输与封装系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于静电防护的芯片传输与封装系统及方法，涉及半导体领域，本发明通过划分芯片封装的工艺流程，利用传感器收集历史静电数据，根据历史芯片损坏的静电数据设定电荷量风险阈值，之后利用多项式算法构建电荷量预测模型，之后根据传感器采集的电压值利用电荷量预测模型预测各个工艺流程所产生的电荷量，根据上下关联的两个工艺流程预测的电荷量之和与电荷量风险阈值进行判断，并根据判断结果进行不同类型的操作，当预测结果与实际结果不符时，通过溯源分析得出具体参数，并根据参数动态更新预测模型，本发明实现了芯片封装全流程的静电精准监测、预警及防护，提升了芯片封装的良品率及效率。

本发明授权一种基于静电防护的芯片传输与封装系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于静电防护的芯片传输与封装方法，其特征在于：所述芯片传输与封装方法包括以下步骤： 步骤S1、划分芯片封装工艺流程，在每个工艺流程设置传感器，利用传感器收集各个工艺流程历史芯片封装的静电数据，提取因静电导致芯片损坏的静电数据，提取电荷量，设定电荷量风险阈值； 步骤S2、根据收集历史芯片封装的静电数据，绘制电荷量的散点图之后利用多项式算法为各个工艺流程构建电荷量预测模型； 步骤S3、在芯片封装过程中，使用传感器收集各个工艺流程中对芯片产生的电压值； 步骤S4、根据传感器采集的每个工艺流程的电压利用电荷量预测模型预测各个工艺流程产生的电荷量，根据上下关联的两个工艺流程所预测的电荷量相加之和与电荷量风险阈值对比进行判断，根据判断结果选择不同操作； 步骤S5、当电荷量预测值不符合实际电荷量采集值时，对电荷量异常进行溯源分析，之后根据溯源分析结果更新电荷量预测模型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人四川和恩泰半导体有限公司，其通讯地址为：629000 四川省遂宁市经济技术开发区西宁片区纵一路恩彼特智能制造产业园5号楼1-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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