上海安其威微电子科技有限公司石城毓获国家专利权
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龙图腾网获悉上海安其威微电子科技有限公司申请的专利一种射频开关芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120633579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511128406.2,技术领域涉及:G06F30/394;该发明授权一种射频开关芯片是由石城毓;战吉超设计研发完成,并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频开关芯片在说明书摘要公布了:本申请提供了一种射频开关芯片,至少包括相邻的第一射频通道和第二射频通道,每条射频通道包括串并联开关结构,串并联开关结构包括:N级串联的第一开关,依次串联在射频通道的射频输入端、射频输出端之间,N为≥1的整数;M级并联的第二开关,每一级第二开关连接在射频通道与标准地之间,M为≥1的整数,每一级第二开关具有接地点,接地点用于与标准地连接;射频开关芯片表面具有接地凸块,每个接地点通过与其对应的接地凸块与标准地电连接,其中接地凸块的位置被配置成每个接地点到与其最近的接地凸块的横向距离之和最小;和或,相邻两射频通道中,对通道间隔离度影响最大的两个接地点到对应的接地凸块的路径最短。
本发明授权一种射频开关芯片在权利要求书中公布了:1.一种射频开关芯片,其特征在于,至少包括相邻的第一射频通道和第二射频通道,每条射频通道包括串并联开关结构,所述串并联开关结构包括: N级串联的第一开关,依次串联在射频通道的射频输入端、射频输出端之间,N为≥1的整数; M级并联的第二开关,每一级所述第二开关连接在射频通道与标准地之间,M为≥1的整数,每一级所述第二开关具有接地点,所述接地点用于与标准地连接; 所述射频开关芯片的表面具有接地凸块,每个所述接地点通过与其对应的接地凸块与标准地电连接,其中所述接地凸块的位置被配置成每个所述接地点到与其最近的所述接地凸块的横向距离之和最小; 和或,相邻两射频通道中,对通道间隔离度影响最大的接地点到对应的接地凸块的路径最短。
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