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龙图腾网获悉上海先积集成电路有限公司申请的专利基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120631115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511151517.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构是由张保松;许舟设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构在说明书摘要公布了：本发明公开了基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构，属于集成电路设计技术领域，包括Class_AB输出级结构以及负反馈环路浮动电流源结构；所述Class_AB输出级结构用于实现运放轨对轨输出性能，所述负反馈环路浮动电流源结构用于确定所述Class_AB输出级结构的静态偏置电流；其中，负反馈环路浮动电流源结构包括浮动电流源结构、静态偏置结构、环路偏置结构、电流基准结构以及状态转换结构。本发明，通过负反馈环路对Class_AB输出级进行静态偏置，保证偏置精度与良好的抗温漂特性，轨对轨、低功耗、零漂移运算放大器输出级应用传统线性跨导环偏置造成静态偏置点误差与漂移等问题。

本发明授权基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构在权利要求书中公布了：1.基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构，其特征在于，包括Class_AB输出级结构以及负反馈环路浮动电流源结构；所述Class_AB输出级结构用于实现运放轨对轨输出性能，所述负反馈环路浮动电流源结构用于确定所述Class_AB输出级结构的静态偏置电流； 其中，负反馈环路浮动电流源结构包括浮动电流源结构、静态偏置结构、环路偏置结构、电流基准结构以及状态转换结构； 所述浮动电流源结构与所述静态偏置结构配合实现对Class_AB输出级结构晶体管的栅端进行偏置； 所述静态偏置结构为所述浮动电流源结构的两个输出端提供静态偏置电压； 所述环路偏置结构为所述浮动电流源结构中提供静态偏置电压； 所述电流基准结构为所述浮动电流源结构提供栅端偏置电压，并作为基准电流，通过所述负反馈环路浮动电流源结构成倍数的镜像到所述Class_AB输出级结构中，为Class_AB输出级结构提供稳定的静态偏置电流； 所述状态转换结构在运放处于放大信号处理状态时充当偏置电流源的作用，保证运放处于放大信号处理状态下各支路静态偏置电流的稳定性； 所述基于负反馈环路的Class_AB输出级偏置结构包括晶体管M1~M16、电流源I1~I5和电阻R1~R2； 所述Class_AB输出结构由晶体管M15和M16构成，用于实现运放轨对轨输出性能； 所述环路偏置结构由晶体管M1~M4构成，晶体管M1栅端连接所述Class_AB输出级结构中晶体管M16的栅端；晶体管M2栅漏短接，接到M3的栅端，M4栅端接所述Class_AB输出级结构中晶体管M15的栅端；晶体管M5栅漏端短接，接到所述浮动电流源结构中晶体管M6的栅端； 所述状态转换结构由晶体管M13和M14构成，晶体管M13、M14分别与所述环路偏置结构中晶体管M2与M3相串联，其栅端接固定偏置电压VB1； 所述浮动电流源结构由晶体管M6、M9、M11和M12，以及固定偏置电流源I2和I3构成，固定偏置电流源I2、晶体管M6、M9、M11和M12以及固定偏置电流源I3相串联，所述浮动电流源结构的左右支路作为输出端分别接到所述静态偏置结构中晶体管M10、M7的栅端，晶体管M11、M12的栅端接固定偏置VB2； 所述电流基准结构由固定偏置电流源I1和晶体管M8构成，固定偏置电流源I1与晶体管M8串联，晶体管M8的栅端与所述浮动电流源结构中晶体管M9的栅端相连接； 所述静态偏置结构由晶体管M7和M10，电阻R1~R2以及固定偏置电流源I4和I5构成，电阻R1与晶体管M10，以及电阻R2与M7串联，构成源极跟随器，并分别与固定偏置电流源I4与I5串联；晶体管M10的源端接到所述Class_AB输出级结构中晶体管M15的栅端；晶体管M7的源端接到所述Class_AB输出级结构中晶体管M16的栅端。

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