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龙图腾网获悉深圳市美思先端电子有限公司申请的专利一种具有3D结构的MEMS红外光源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120622407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511102990.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种具有3D结构的MEMS红外光源及其制备方法是由邓敏;武斌设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有3D结构的MEMS红外光源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有3D结构的MEMS红外光源及其制备方法，该制备方法包括，对硅衬底进行清洗并在其上下表面分别沉积支撑层，在上表面的支撑层加工加热电极并加工得到覆盖加热电极及支撑层的隔离层；在隔离层的中间区域加工得到红外辐射材料层并在红外辐射材料层两侧加工得到连通加热电极的平面电极，对硅衬底下表面的支撑层的中间区域进行蚀刻开窗形成衬底空腔并对衬底空腔周边区域的支撑层进行蚀刻开窗形成刻蚀窗口，对硅衬底的下表面进行衬底体硅二次刻蚀形成连通腔，从而得到具有3D结构的MEMS红外光源。上述制备方法，通过二次刻蚀在红外光源下方蚀刻形成利于通风的连通腔，从而提升红外光源高温辐射的可靠性及稳定性。

本发明授权一种具有3D结构的MEMS红外光源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有3D结构的MEMS红外光源的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备具有3D结构的MEMS红外光源，所述制备方法包括： 使用清洗溶液对硅衬底进行清洗，在硅衬底的上表面及下表面分别沉积半导体薄膜得到支撑层； 采用金属磁控溅射和剥离工艺在所述硅衬底的上表面的支撑层上加工得到加热电极； 采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述硅衬底的上表面的加热电极上加工得到覆盖所述加热电极及所述支撑层的隔离层； 在所述隔离层上加工得到覆盖所述隔离层中间区域的红外辐射材料层； 在所述隔离层上进行蚀刻开孔并镀膜加工得到连通下方加热电极的平面电极，所述平面电极位于所述红外辐射材料层的两侧； 对所述硅衬底的下表面的支撑层的中间区域进行蚀刻开窗并进行衬底体硅一次刻蚀，以在所述硅衬底下方蚀刻形成衬底空腔； 对所述硅衬底的下表面位于所述衬底空腔周边区域的支撑层进行蚀刻开窗，以使所述衬底空腔周边的硅衬底暴露形成刻蚀窗口； 对所述硅衬底的下表面进行衬底体硅二次刻蚀，以对所述硅衬底的衬底空腔及刻蚀窗口进一步刻蚀并形成连通腔，得到具有3D结构的MEMS红外光源。

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