苏州龙驰半导体科技有限公司吴同飞获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利一种常关型栅控结型场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120614855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120743.7，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种常关型栅控结型场效应晶体管是由吴同飞设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种常关型栅控结型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种常关型栅控结型场效应晶体管，包括衬底、外延层；第二掺杂类型的沟道区，形成在所述外延层的顶面之下的位置；第一掺杂类型的栅区，形成在所述沟道区之上；第二掺杂类型的沟道调节区，形成在所述外延层的顶面之下的位置且与沟道区的边缘连接；第二掺杂类型的源区，形成在所述外延层的顶面之下的位置且源区与同侧的沟道调节区连接，使得源区和栅区在横向方向被沟道调节区隔开；钝化保护层，至少覆盖沟道调节区的顶面和栅区的侧面；第一掺杂类型的阱区，形成在沟道区、沟道调节区、源区之下。本申请解决了传统的栅控结型场效应晶体管因多为常开型导致使用场景受限的技术问题。
本发明授权一种常关型栅控结型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种常关型栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底11、形成在所述衬底11之上的外延层； 第二掺杂类型的沟道区1，形成在所述外延层的顶面之下的位置； 第一掺杂类型的栅区5，形成在所述沟道区1之上； 第二掺杂类型的沟道调节区3，形成在所述外延层的顶面之下的位置，且与所述沟道区1的边缘连接； 第二掺杂类型的源区2，形成在所述外延层的顶面之下的位置且与同侧的沟道调节区3连接，使得所述源区2和所述栅区5在横向方向被所述沟道调节区3隔开； 钝化保护层4，至少覆盖所述沟道调节区3的顶面和所述栅区5的侧面； 第一掺杂类型的阱区9，形成在所述沟道区1、所述沟道调节区3、所述源区2之下。
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