博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司黄晴获国家专利权
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龙图腾网获悉博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司申请的专利高线性混频器芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120582564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511075819.9,技术领域涉及:H03D7/16;该发明授权高线性混频器芯片是由黄晴;郭强;吴奕蓬设计研发完成,并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本高线性混频器芯片在说明书摘要公布了:本申请涉及微电子、半导体及通信技术领域,揭示了一种高线性混频器芯片,所述高线性混频器芯片包括:耦合器电路结构、高线性混频器芯片结构,所述高线性混频器芯片结构包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、多栅阻性晶体管M1、扼流电感L;射频信号通过多栅阻性晶体管的栅极进入,本振信号通过耦合器的输入端口进入,两路信号通过多栅阻性晶体管进行混频后,中频信号通过多栅阻性晶体管的漏极从耦合器的隔离端口通过滤波电路输出。多栅阻性晶体管利用源漏间的可变电阻实现混频,可变电阻的非线性低于二极管,利用多栅阻性晶体管结构,同时添加合适的栅极偏压,因此具有较高的线性度。
本发明授权高线性混频器芯片在权利要求书中公布了:1.一种高线性混频器芯片,其特征在于,所述高线性混频器芯片包括:耦合器电路结构、高线性混频器芯片结构,所述高线性混频器芯片结构包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、多栅阻性晶体管M1、扼流电感L; 射频信号输入端口同时连接电容C1、电容C2、电容C3的一端,电容C1的另一端连接电阻R1的一端以及电阻R6的一端,电阻R6的另外一端接地; 电容C2的另一端连接电阻R2的一端以及电阻R5的一端,电阻R5的另外一端接地,电容C3的另一端连接电阻R3的一端以及电阻R4的一端,电阻R4的另外一端接地; 电阻R1、电阻R2、电阻R3的另一端分别连接多栅阻性晶体管M1的栅极;多栅阻性晶体管M1的源极连接电阻R7及电容C4并联的一端,电阻R7的及电容C4并联的另一端共同接地; 多栅阻性晶体管M1的漏极连接扼流电感L的一端,扼流电感L的另一端连接偏置电压VD,扼流电感L的一端还连接所述耦合器电路结构中耦合器的耦合端口W1,所述耦合器电路结构用于获取本振信号,其中,本振输入信号通过所述耦合器电路结构中耦合器的输入端口W3进入,进而通过耦合器的直通端口W4进入多栅阻性晶体管的漏极,与射频信号进行混频; 耦合器电路结构中耦合器的隔离端口W2连接电感L2的一端以及电容C10的一端,电容C10的另一端连接中频信号输出端口; 耦合器的耦合端口W1通过电容C8连接至其输入端口W3,输入端口W3又通过电容C9连接至其直通端口W4,从而使直通端口W4与耦合端口W1之间形成电连接。
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