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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利应用于单晶硅掺锑工艺的多阶段锑挥发系数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120575325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511077603.6，技术领域涉及：C30B15/04；该发明授权应用于单晶硅掺锑工艺的多阶段锑挥发系数优化方法是由代理华;闫洪嘉设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于单晶硅掺锑工艺的多阶段锑挥发系数优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及单晶硅掺杂技术领域，尤其涉及一种应用于单晶硅掺锑工艺的多阶段锑挥发系数优化方法，包括：获取各工艺阶段的工艺运行参数，并将其输入至锑挥发系数模拟量化空间内，获得该工艺阶段对应的第一锑挥发系数；获取单晶炉结构特征，并基于单晶炉结构特征对第一锑挥发系数进行热场影响校正，获得第二锑挥发系数；以单晶硅产品的锑含量设计要求为目标，根据预先获取的锑掺杂剂纯度信息以及各工艺阶段的第二锑挥发系数，确定各工艺阶段的掺杂配比。其能够综合考虑各种影响因素并进行精准优化，能够有效减少因锑挥发系数控制不准确和掺杂配比不合理而导致的产品质量波动。

本发明授权应用于单晶硅掺锑工艺的多阶段锑挥发系数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于单晶硅掺锑工艺的多阶段锑挥发系数优化方法，其特征在于，包括： 获取各工艺阶段的工艺运行参数，并将其输入至锑挥发系数模拟量化空间内，获得该工艺阶段对应的第一锑挥发系数； 获取单晶炉结构特征，并基于所述单晶炉结构特征对所述第一锑挥发系数进行热场影响校正，获得第二锑挥发系数； 以单晶硅产品的锑含量设计要求为目标，根据预先获取的锑掺杂剂纯度信息以及各工艺阶段的所述第二锑挥发系数，确定各工艺阶段的掺杂配比； 所述热场影响校正通过结合有限元流体力学仿真与正交实验设计，确定不同单晶炉结构特征组合下的锑挥发系数校正系数矩阵，所述校正系数矩阵用于量化单晶炉不同结构特征对各工艺阶段锑挥发系数的影响； 所述校正系数矩阵中各项矩阵元素通过以下公式计算： ； 其中，表示第i个单晶炉结构特征对第j个工艺阶段锑挥发系数的校正系数；表示实验测得的挥发系数变化量；表示第i个单晶炉结构特征参数的实际值与设计值的相对偏差；表示基于平均温度的修正函数； 所述第二锑挥发系数的计算公式为： ； 其中，表示第j个工艺阶段的第二锑挥发系数；表示第j个工艺阶段的第一锑挥发系数；n表示单晶炉结构特征的数量。

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