苏州华太电子技术股份有限公司张晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利一种GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511062343.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN HEMT器件是由张晓宇;岳丹诚设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种GaNHEMT器件，包括：低阻的第二掺杂类型的衬底；接地的背面接地金属，形成在衬底的背侧；第一掺杂类型的缓冲层；GaNHEMT结构层，GaNHEMT结构层包括有源区和高阻区；第一深孔，自所述高阻区的上表面向下形成，且第一深孔的底端进入到所述衬底内；接地金属层一，形成一层在所述第一深孔的孔壁和底壁且所述接地金属层一围成第二深孔，所述接地金属层一经退火后和所述缓冲层、所述GaNHEMT结构层中半导体材料的GaN缓冲层之间的接触为欧姆接触；接地金属层二，填充在所述第二深孔内。本申请解决了传统GaNHEMT器件的缓冲层为浮空电位导致器件的可靠性和稳定性不足的技术问题。
本发明授权一种GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件，其特征在于，包括： 低阻的第二掺杂类型的衬底10； 接地的背面接地金属61，形成在所述衬底10的背侧； 第一掺杂类型的缓冲层； GaNHEMT结构层，所述GaNHEMT结构层包括有源区和高阻区； 第一深孔，自所述高阻区的上表面向下形成，且所述第一深孔的底端进入到所述衬底10内； 接地金属层一31，形成一层在所述第一深孔的孔壁和底壁且所述接地金属层一31围成第二深孔，所述接地金属层一31经退火后和所述缓冲层、所述GaNHEMT结构层中半导体材料的GaN缓冲层之间的接触为欧姆接触； 接地金属层二32，填充在所述第二深孔内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华太电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园10-1F；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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