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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种基于SGT工艺的超低导通内阻MOS管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511054302.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于SGT工艺的超低导通内阻MOS管的制备方法是由连瑞豪;马奕鸿设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SGT工艺的超低导通内阻MOS管的制备方法在说明书摘要公布了：一种基于SGT工艺的超低导通内阻MOS管的制备方法，涉及半导体技术领域；包括以下步骤：对衬底进行氮源掺杂沉积，形成N型漂移层；依次在N型漂移层生长氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层，冷却至室温形成异质结；涂覆正性光刻胶并曝光定义三维沟槽，然后用显影液进行显影硬烘后形成掩膜，对三维沟槽进行蚀刻；主沟槽内分段注入形成渐变超级结进行高温退火处理，高计量砷离子注入形成N+区；沉积氧化铝栅介质，磁控溅射沉积氮化钛完全充填沟槽后抛光，然后进行电极制备、钝化和金属互连；通过梯度掺杂外延技术，实现漂移区电阻的梯度优化，在异质结层表面定义三维交叉沟槽阵列，可实现击穿电压≥650V时导通内阻≤5mΩ・mm²，较传统SGT工艺降低40%以上。

本发明授权一种基于SGT工艺的超低导通内阻MOS管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SGT工艺的超低导通内阻MOS管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过低压气相沉积法对4H-SiC衬底进行氮源掺杂沉积，形成从衬底到表面掺杂浓度逐渐升高的N型漂移层； 依次在N型漂移层生长氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层，冷却至室温形成氮化镓氮化铝镓异质结； 涂覆正性光刻胶并曝光定位主沟槽+次级沟槽交叉阵列的三维沟槽，然后用显影液进行显影硬烘后形成掩膜，对三维沟槽进行蚀刻； 主沟槽内分段注入形成底部P型柱+中上部N型柱的渐变超级结进行高温退火处理，高计量砷离子注入形成N+区； 沉积氧化铝栅介质，磁控溅射沉积氮化钛完全充填沟槽后抛光，然后进行电极制备、钝化和金属互连； 其中定位三维沟槽包括以下步骤： 先涂覆正性光刻胶，其涂覆厚度为1.5-2μm，软烘温度为90-100℃，软烘时间为60-90s； 然后进行电子束光刻曝光，电子束加速电压为100-150kV，电子束的电荷密度为50-80μCcm2； 显影液进行显影30-45s，硬烘温度为120-130℃，硬烘时间为30-60s，形成光刻胶掩膜； 其中，所述三维沟槽图形设计参数为： 主沟槽深度为2.0-2.5μm，宽度为0.4-0.6μm，间距为0.8-1.2μm； 次级沟槽深度为0.4-0.6μm，宽度为0.15-0.25μm，间距为0.4-0.6μm，所述次级沟槽均匀分布在主沟槽之间。

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