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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所;中电科五十四所科技发展(北京)有限公司申请的专利一种MEMS开关调控的太赫兹双片型超表面天线单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120566090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511052890.5，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种MEMS开关调控的太赫兹双片型超表面天线单元是由邓琨;张乃柏;宋天宇;李依桐;宋瑞良;刘宁;李亚明设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS开关调控的太赫兹双片型超表面天线单元在说明书摘要公布了：本发明公布了一种MEMS开关调控的太赫兹双片型超表面天线单元，属于太赫兹无线通信设备领域。其包括两层石英玻璃介质基板；下层石英玻璃介质基板下表面设有偏置电路，上层石英玻璃介质基板下表面设有金属地，上表面设有1‑Bit辐射单元。1‑Bit辐射单元由双片型微带贴片和位于双片中间的MEMS开关构成；双片型微带贴片左右对称，中间连接线设有开口，左右贴片外侧各设有一个矩形枝节；MEMS开关的不同工作状态，改变双片型微带贴片的表面电流模式，从而实现辐射单元的180°反射相位差。超表面天线单元具有低剖面、结构简单、集成度高的优势，实现太赫兹高增益、窄波束的波束成形与波束跟踪。

本发明授权一种MEMS开关调控的太赫兹双片型超表面天线单元在权利要求书中公布了：1.一种MEMS开关调控的太赫兹双片型超表面天线单元，包括上、下两层石英玻璃介质基板1；其特征在于，下层石英玻璃介质基板的下表面设有偏置电路8；上层石英玻璃介质基板下表面设有金属地3，上层石英玻璃介质基板上表面设有1-Bit辐射单元；所述1-Bit辐射单元由双片型微带贴片和位于双片型微带贴片中间位置的MEMS开关5构成； 所述双片型微带贴片包括作为主体的两个矩形贴片4，两个矩形贴片4对称设置，且每一矩形贴片4的外侧端角均设有矩形缺陷；同一矩形贴片4上，相对的两个矩形缺陷之间的贴片区域为矩形枝节9； 两矩形贴片之间设有金属连接线10，金属连接线10的中间位置为断开的开口结构，MEMS开关5的金属固支梁11位于开口结构的正上方； 所述MEMS开关5包括金属固支梁11和金属触点13；所述金属固支梁11为矩形结构，金属固支梁11中间为导通部分，两侧为下拉部分，金属固支梁11上设有多个圆形通孔，用于牺牲层的释放；金属触点13位于金属固支梁11导通部分的下表面； 所述上层石英玻璃介质基板上表面还设有两个金属驱动电极7和两个金属锚点12，且两个金属驱动电极7和两个金属锚点12位于两矩形贴片4之间；所述金属驱动电极7分别位于金属连接线10的两侧，金属锚点12位于对应金属驱动电极7的外侧；所述金属固支梁11的两端分别搭在两个金属锚点12的顶部，其金属触点13正对金属连接线10的开口结构；所述金属驱动电极7位于金属固支梁11下拉部分的正下方，其上表面设有氮化硅介质层6。

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