买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽芯塔电子科技有限公司申请的专利一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510736279.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法是由倪炜江设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。针对传统碳化硅沟槽MOSFET存在的比导通电阻高、栅氧可靠性与导电沟道矛盾等问题，提供一种新型结构及制造工艺。器件包括半导体漏区、漂移区、第二导电类型半导体阱区，在第一沟槽拐角处设载流子扩散层，其Z方向穿过半导体屏蔽区引出端，同时第一沟槽侧边的半导体屏蔽区引出端在Z方向呈阶段分布，而第一沟槽正下方的半导体屏蔽区呈连续分布，层间介质层中设有过刻碳化硅形成的第二沟槽。载流子扩散层使导电沟道未被屏蔽区引出端牺牲，且第二沟槽增大欧姆接触面积；通过设置本发明中的一系列结构，可显著地优化器件的比导通电阻。

本发明授权一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽功率器件，其特征在于，包括： 半导体漏区1：为重掺杂第一导电类型半导体材料； 半导体缓存区2：掺杂浓度仅次于半导体漏区1的第一导电类型半导体材料； 半导体漂移区3：为轻掺杂第一导电类型半导体材料，位于半导体缓存区2上方； 第二导电类型半导体阱区4：掺杂浓度高于半导体漂移区3，位于半导体漂移区3顶端； 第一导电类型半导体源区5：为重掺杂，位于第二导电类型半导体阱区4顶端的中间位置； 第二导电类型半导体体接触区6：位于半导体阱区4顶端且远离中间位置； 第二导电类型半导体屏蔽区引出端7-1：沿Z方向分段设置于半导体漂移区3上部分的中间位置； 第一沟槽8：位于半导体漂移区3顶部中间位置，从第一导电类型半导体源区5延伸至半导体漂移区3内部； 第一导电类型半导体载流子扩散层9：紧邻第一沟槽8的拐角； 第二导电类型半导体屏蔽区7-2，位于第一沟槽8的正下方； 栅极介质层10：覆盖第一沟槽8的内壁； 栅极电极11：位于栅极介质层10上； 层间介质层12：覆盖栅极电极11； 接触孔13-1：设于层间介质层12中，其底部过刻碳化硅形成第二沟槽13-2； 源端金属电极14：通过第二沟槽13-2与半导体源区5和第二导电类型半导体体接触区6形成欧姆接触； 漏端金属电极15：位于半导体漏区1下方并形成欧姆接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽芯塔电子科技有限公司，其通讯地址为：241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区芜湖科技产业园B3栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。