季华实验室张南获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种磁铁装置及降低边部漏磁的磁控溅射阴极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511034419.3，技术领域涉及：H01F7/02；该发明授权一种磁铁装置及降低边部漏磁的磁控溅射阴极是由张南;罗骞;伍三忠设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁铁装置及降低边部漏磁的磁控溅射阴极在说明书摘要公布了：本申请提供了一种磁铁装置及降低边部漏磁的磁控溅射阴极，涉及磁控溅射技术领域。通过调整内磁铁和外磁铁的总剩磁比，改善了磁场分布，减少了边部漏磁，从而提高了靶材利用率，降低了腔室污染和设备维护频率，最终减少使用成本。
本发明授权一种磁铁装置及降低边部漏磁的磁控溅射阴极在权利要求书中公布了：1.一种磁铁装置，所述磁铁装置包括内磁铁10、外磁铁20和磁轭30，所述内磁铁10和所述外磁铁20设置在所述磁轭30的上方，所述内磁铁10设置在所述外磁铁20的内侧，所述内磁铁10和所述外磁铁20朝上一侧的极性相反，其特征在于，所述内磁铁10的总剩磁与所述外磁铁20的总剩磁的比值大于或等于1.3，所述总剩磁是指磁铁的剩余磁通密度和磁铁体积的乘积。
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