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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于宇生μ子像图的低辐射X射线成像识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120522204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511022464.7，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种基于宇生μ子像图的低辐射X射线成像识别方法是由李立京;张姮;李皓阳;郑月;田龙杰;程景春设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于宇生μ子像图的低辐射X射线成像识别方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于宇生μ子像图的低辐射X射线成像识别方法，步骤包括：S1、生成宇生μ子成像特征图；S2、识别宇生μ子成像特征图中的密度异常区域；S3、根据步骤S2的识别结果，对成像物体的密度异常区域进行X射线单光子成像；S4、基于小波变换方法，对宇生μ子成像特征图和X射线单光子成像进行融合，得到能够清晰显示有缺陷位置和形状的融合图像；该方法适用于大范围高精度的无损成像检测，在保证无损成像的同时，解决当前无损成像的辐射问题，形成一种低剂量的大范围高精度无损检测成像的新方法。

本发明授权一种基于宇生μ子像图的低辐射X射线成像识别方法在权利要求书中公布了：1.一种基于宇生μ子像图的低辐射X射线成像识别方法，其特征在于，步骤如下： S1、对内置成像物体的封闭区块铺设上、下两路的液体闪烁体μ子探测器，采集各μ子穿入封闭区块的真实径迹信息和穿出封闭区块的真实径迹信息，以生成宇生μ子成像特征图； S2、识别宇生μ子成像特征图中的密度异常区域，其具体步骤为： S201、将封闭区块划分为体素网格，根据步骤S1中各μ子的穿入封闭区块和穿出封闭区块的真实径迹信息，在成像物体内找到使各μ子发生散射的位置点及位置点所属的体素； S202、设置k近邻，并计算每个位置点与其k近邻的多个位置点之间的平均距离； S203、计算各位置点的LOF分数，并根据设定阈值判断其是否异常； S204、设定异常体素所包含的异常位置点的阈值，并根据步骤S203的判断结果，确定成像物体中的异常体素； S205、根据异常体素的位置坐标，在由步骤S1生成的宇生μ子成像特征图上标记密度异常区域； S3、根据步骤S2的识别结果，对成像物体的密度异常区域进行X射线单光子成像； S4、基于小波变换方法，对宇生μ子成像特征图和X射线单光子成像进行融合，得到清晰显示有封闭区块内成像物体缺陷位置和形状的融合图像。

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