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龙图腾网获悉祥符实验室申请的专利一种光子晶体荧光增强的打印合成DNA芯片清洗效果验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120522149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511028878.0，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种光子晶体荧光增强的打印合成DNA芯片清洗效果验证方法是由牛赛赛;王熠晨设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光子晶体荧光增强的打印合成DNA芯片清洗效果验证方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光子晶体荧光增强的打印合成DNA芯片的清洗效果验证方法，包括：S1，制备光子晶体微芯片，形成疏水基底和亲水检测区域；S2，搭建芯片测试平台，收集特定时间的反应清洗液体待测样品，将待测样品滴加于光子晶体微芯片表面；S3，加热光子晶体微芯片，待样品溶液干燥后待检测物富集于亲水检测区域；S4，通过荧光光谱法对待检测物所发出的荧光光谱信号进行检测，以实现对待检测物的检测；S5，利用荧光强度变化判断芯片的清洗效果。本发明的验证方法不仅能够利用荧光强度变化判断芯片清洗效果，还适用于极低浓度条件下的痕量检测，实现比普通基底如玻璃更高的灵敏度，有利于降低检测限，实现低浓度下更精确的分析。

本发明授权一种光子晶体荧光增强的打印合成DNA芯片清洗效果验证方法在权利要求书中公布了：1.一种光子晶体荧光增强的打印合成DNA芯片的清洗效果验证方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1，制备光子晶体微芯片，形成疏水基底和亲水检测区域； S2，搭建芯片测试平台，收集特定时间的反应清洗液体待测样品，并将待测样品溶液滴加于光子晶体微芯片表面； S3，加热所述光子晶体微芯片，待样品溶液干燥后，待检测物富集于亲水检测区域； S4，借助光子晶体的荧光增强特性，通过荧光光谱法对待检测物所发出的荧光光谱信号进行检测，以实现所述待检测物的检测； S5，利用荧光强度变化判断芯片的清洗效果； 所述步骤S2包括： S21，将芯片放置在设有反应凹槽的基板中，基板两侧通过打圆形通孔，将输液管路与反应凹槽接通，一侧管路向反应凹槽输入反应试剂和乙腈清洗液，另一侧管路收集反应凹槽内输出的样品溶液和废液，上方覆盖盖板对反应凹槽进行封闭； S22，在高通量DNA合成芯片表面流通添加荧光染料的各反应试剂后，流通乙腈溶液进行清洗； S23，分别在清洗开始后的若干时间内开始收集乙腈清洗液体样品； S24，将收集液体样品浓缩，移取浓缩后的待测样品溶液，滴加在表面具有浸润性差异的光子晶体微芯片表面的亲水性检测区域； 所述步骤S5中利用荧光强度变化判断芯片清洗效果的步骤包括： 当通过光子晶体微芯片检测到较弱的荧光信号，判定没有清洗干净，则计算该时间点液体样品浓度或相对清洗开始后0s时液体样品的残留量； 当通过光子晶体微芯片不能检测到明显荧光信号，则判定清洗干净，没有残留。

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