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张江国家实验室赵晨阳获国家专利权

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龙图腾网获悉张江国家实验室申请的专利静态存储器单元及存储器架构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120472963B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510726083.0,技术领域涉及:G11C11/419;该发明授权静态存储器单元及存储器架构是由赵晨阳;杨建国;周可基;易海兰设计研发完成,并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

静态存储器单元及存储器架构在说明书摘要公布了:本发明提供一种能降低存储稀疏度较高的数据时的写入功耗并能兼顾存储稳定性和存储密度的静态存储器单元及存储器架构。所述静态存储器单元包括:输出端电连接至第一存储节点,输入端电连接至第二存储节点,电源端电连接至第一电源的反相器电路;栅极电连接至所述第一存储节点,漏极电连接至所述第二存储节点,源极电连接至第二电源的非对称上拉晶体管;栅极电连接至所述第一存储节点,漏极电连接至读取位线,源极电连接至读取字线的读操作晶体管;以及漏极电连接至所述第二存储节点,栅极电连接至写入字线,源极电连接至写入位线的写传输晶体管。

本发明授权静态存储器单元及存储器架构在权利要求书中公布了:1.一种静态存储器单元,其特征在于,包括: 反相器电路,该反相器电路的输出端电连接至第一存储节点,输入端电连接至第二存储节点,电源端电连接至第一电源; 非对称上拉晶体管,该非对称上拉晶体管的栅极电连接至所述第一存储节点,漏极电连接至所述第二存储节点,源极电连接至第二电源; 读操作晶体管,该读操作晶体管的栅极电连接至所述第一存储节点,漏极电连接至读取位线,源极电连接至读取字线;以及 写传输晶体管,该写传输晶体管的漏极电连接至所述第二存储节点,栅极电连接至写入字线,源极电连接至写入位线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人张江国家实验室,其通讯地址为:201210 上海市浦东新区海科路99号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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