晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司李宁获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利用于半导体器件的测试结构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120468616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510934594.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用于半导体器件的测试结构和测试方法是由李宁;冯玲;陈依柏;闻磊;段丹阳设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件的测试结构和测试方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种用于半导体器件的测试结构和测试方法，半导体器件包括衬底、多个栅极和多个接触结构，测试结构包括多个第一导电结构，衬底包括间隔设置的多个第一有源区；多个栅极设置在衬底之上，且各个栅极在衬底表面的投影与相应的第一有源区交叠；多个接触结构分别经通孔连接至相应的第一有源区，多个接触结构包括位于相邻的两个栅极之间的多个第一接触结构；多个第一接触结构通过多个第一导电结构以及相应的第一有源区电连接在第一量测结构和第二量测结构之间，以使第一量测结构和第二量测结构之间的电阻值表征多个第一接触结构的电性检测结果。本申请实施例提高了半导体器件的工艺缺陷的测试准确性。
本发明授权用于半导体器件的测试结构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体器件的测试结构，所述半导体器件包括衬底、多个栅极和多个接触结构，所述测试结构包括多个第一导电结构，其中， 所述衬底包括间隔设置的多个第一有源区； 所述多个栅极设置在所述衬底之上，且各个所述栅极在所述衬底表面的投影与相应的所述第一有源区交叠； 所述多个接触结构分别经通孔连接至相应的所述第一有源区，所述多个接触结构包括位于相邻的两个所述栅极之间的多个第一接触结构； 所述多个第一接触结构通过所述多个第一导电结构以及相应的所述第一有源区电连接在第一量测结构和第二量测结构之间，以使所述第一量测结构和所述第二量测结构之间的电阻值表征所述多个第一接触结构的电性检测结果。
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