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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于非门阵列的微型多离子传感系统及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446242B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510927579.4，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种基于非门阵列的微型多离子传感系统及其制备方法是由李鹏;赵豪杰;卢文龙;尤政设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于非门阵列的微型多离子传感系统及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于非门阵列的微型多离子传感系统及其制备方法，属于电化学传感技术领域，包括多离子敏感单元和二硫化钼非门阵列；多离子敏感单元包括金属电极阵列、离子敏感薄膜阵列和储液池，通过离子敏感薄膜阵列同时检测多种离子，并转化为电信号通过金属电极阵列传输至二硫化钼非门阵列；二硫化钼非门阵列包括多个二硫化钼非门，二硫化钼非门包括金属电极层、二硫化钼层、非门输入端和非门输出端，形成两个场效应晶体管，以将收到的电信号放大，并通过非门结构打破能斯特极限，准确检测离子浓度的微小变化，具有更高的灵敏度；通过将二硫化钼作为非门的沟道材料，有效降低非门的尺寸和功耗，提高了系统的集成度，延长了系统的使用寿命。

本发明授权一种基于非门阵列的微型多离子传感系统及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非门阵列的微型多离子传感系统，其特征在于，包括多离子敏感单元和二硫化钼非门阵列； 所述多离子敏感单元包括金属电极阵列、离子敏感薄膜阵列和储液池；所述储液池设置在第一基底上，用于储存待测溶液；所述金属电极阵列设置在所述第一基底上，并设置在所述储液池内，包括多个第一金属电极；所述离子敏感薄膜阵列包括分设于各所述第一金属电极上的多个离子敏感薄膜，且不同的所述离子敏感薄膜内含有不同的离子载体； 所述二硫化钼非门阵列包括设置在第二基底上的多个二硫化钼非门； 所述二硫化钼非门包括金属电极层、二硫化钼层、非门输入端和非门输出端；所述非门输出端、所述二硫化钼层和所述金属电极层设置在所述第二基底上，所述二硫化钼层包括第一二硫化钼层和第二二硫化钼层；所述金属电极层包括间隔分设在所述非门输出端两侧的第二金属电极和第三金属电极，所述第一二硫化钼层的一端与所述第二金属电极连接，另一端与所述非门输出端连接；所述第二二硫化钼层的一端与所述第三金属电极连接，另一端与所述非门输出端连接；所述非门输出端的一侧、所述第一二硫化钼层和所述第二金属电极上设置第一绝缘层，所述非门输入端设置在所述第一绝缘层上；所述非门输出端的另一侧、所述第二二硫化钼层和所述第三金属电极上设置第二绝缘层，所述非门输出端背离所述第二基底的一端延伸设置在所述第二绝缘层上； 所述金属电极阵列中的各所述第一金属电极与所述二硫化钼非门阵列中的各所述非门输入端一一对应连接。

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