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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120435025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510931927.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件是由方婧媛;葛成海;谢荣源设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件，LDMOS器件的制备方法包括：在半导体层中形成体区和漂移区，并且在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区；在所述半导体层的表面依次形成层叠的第一硬掩模层和第二硬掩模层，并且形成贯穿第一硬掩模层和第二硬掩模层的开口；在所述开口暴露的半导体层的表面形成凸起结构，所述凸起结构与所述开口的侧壁之间具有间隙；经由所述第一硬掩模层的开口刻蚀所述凸起结构和所述半导体层，在所述半导体层中形成沟槽，所述沟槽从所述半导体层的表面向其内部延伸，所述沟槽的底部包括凹陷部和凸起部；以及在所述沟槽中形成栅结构。

本发明授权一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的制备方法，包括： 在半导体层中形成体区和漂移区，并且在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区； 在所述半导体层的表面依次形成层叠的第一硬掩模层和第二硬掩模层，并且形成贯穿第一硬掩模层和第二硬掩模层的开口； 在所述开口暴露的半导体层的表面形成凸起结构，所述凸起结构与所述开口的侧壁之间具有间隙，所述凸起结构的顶面和所述半导体层的表面之间形成预定的高度差； 经由所述第一硬掩模层的开口刻蚀所述凸起结构和所述半导体层，在所述半导体层中形成沟槽，所述沟槽从所述半导体层的表面向其内部延伸，所述沟槽的底部包括凹陷部和凸起部，所述凸起结构和所述半导体层具有相同的刻蚀速率，形成的所述沟槽中，所述凹陷部和所述凸起部之间保持预定的高度差，所述沟槽的一部分位于漂移区中，一部分位于所述体区中；以及 在所述沟槽中形成栅结构； 其中，所述沟槽的底部形成靠近所述源区的第一凹陷部，靠近所述漏区的第二凹陷部以及所述第一凹陷部和所述第二凹陷部之间的凸起部；覆盖所述凹陷部的栅极电介质的厚度大于覆盖所述凸起部的栅极电介质的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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