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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种3C-SiC裂纹扩展和力学性能预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120388659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510469745.0，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种3C-SiC裂纹扩展和力学性能预测方法是由关康;李秋燕;卢振亚设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3C-SiC裂纹扩展和力学性能预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种3C‑SiC裂纹扩展和力学性能预测方法，属于材料科学及计算机模拟技术领域，包括S1、构建多晶3C‑SiC原子模型，S2、模拟多晶3C‑SiC原子模型的裂纹扩展行为，S3、利用OVITO软件对多晶3C‑SiC的微观结构演化进行分析，S4、构建断裂特性评价模型，S5、构建基于分子动力学的力学性能预测数据库，实现3C‑SiC裂纹扩展行为的可视化分析与定量预测，本发明采用上述方法，用于研究多晶3C‑SiC在不同工况下的裂纹扩展行为，实现了对材料断裂韧性和失效模式的预测。

本发明授权一种3C-SiC裂纹扩展和力学性能预测方法在权利要求书中公布了：1.一种3C-SiC裂纹扩展和力学性能预测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、构建多晶3C-SiC原子模型； S2、模拟多晶3C-SiC原子模型的裂纹扩展行为； S3、得到裂纹扩展行为后，利用OVITO软件对多晶3C-SiC的微观结构演化进行分析，过程如下： S31、集成缺陷演化分析模块，并借助OVITO可视化平台的IDS拓扑命令识别晶界原子同时使用DXA算法对轨迹文件分析实现缺陷动态追踪； S32、完成缺陷动态追踪后，依靠径向分布函数的定量分析方法，通过特征峰位偏移与强度衰减解析晶界无序化动力学过程； S33、之后运用应力云图三维重构技术，观察应力场动态分布特征结合应力云图实现裂纹扩展路径的原子尺度动态捕捉； S4、完成分析后，构建断裂特性评价模型； 断裂特性评价模型包括能量耗散分析模型、微观结构关联模型和择优路径扩展预测算法； 断裂特性评价模型构建过程如下： S41、基于裂纹扩展过程中的能量释放方式差异性建立能量耗散分析模型； S42、基于晶粒尺寸、裂纹长度和断裂韧性之间的量化关系建立微观结构关联模型； S43、基于结构演化图分析裂纹传播建立择优路径扩展预测算法； S5、根据S4中的断裂特性评价模型，构建基于分子动力学的力学性能预测数据库，实现3C-SiC裂纹扩展行为的可视化分析与定量预测。

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