重庆欣晖材料技术有限公司张珉硕获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆欣晖材料技术有限公司申请的专利半导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510837051.8，技术领域涉及：H10D62/832；该发明授权半导体材料及其制备方法是由张珉硕;王力;邓湛川;唐杰;郭明瑶设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体材料及其制备方法，其中，半导体材料包括第一碳化硅层；第一碳化硅层包括孪晶结构和非孪晶结构；孪晶结构嵌入在非孪晶结构中；孪晶结构的生长方向在第一碳化硅层的厚度延伸方向上的投影大于零；孪晶结构的尺寸大于非孪晶结构的晶粒尺寸。
本发明授权半导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料，其特征在于，包括： 第一碳化硅层；所述第一碳化硅层包括孪晶结构和非孪晶结构；所述孪晶结构嵌入在所述非孪晶结构中；所述孪晶结构的生长方向在所述第一碳化硅层的厚度延伸方向上的投影大于零；所述孪晶结构的尺寸大于所述非孪晶结构的晶粒尺寸；其中，所述第一碳化硅层包括沿所述厚度延伸方向堆叠的多个子结构层；在多个所述子结构层中，部分所述孪晶结构沿所述厚度延伸方向从一个子结构层中延伸至另一子结构层中；以及， 第二碳化硅层；所述第二碳化硅层由所述非孪晶结构组成；所述第二碳化硅层与所述第一碳化硅层沿所述厚度延伸方向交替堆叠排布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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