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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120357866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510839370.2，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用是由朱浩慎;马建铖;夏晓宇;康唐飞;张明华设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用。本发明的非互易性瑞利波声电放大器的组成包括衬底、AlNGaN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、ScAlN声学薄膜、源电极、漏电极、栅电极、叉指换能器和金属互联层，而非互易性兰姆波声电放大器的衬底远离AlNGaN成核层的那一面还设置有开放空腔和背电极。本发明的非互易性声电放大器可以实现高对比度、可调节的声波非互易性传输，其具有体积小、隔离度高、可集成性好、稳定性高、可靠性高等优点，且能够与ScAlNGaN射频前端芯片实现单片集成，可以用于射频通信、声波处理、量子计算等领域，适合进行大规模工业化生产和应用。

本发明授权一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种非互易性声电放大器，其特征在于，分为非互易性瑞利波声电放大器和非互易性兰姆波声电放大器两种；所述非互易性瑞利波声电放大器和非互易性兰姆波声电放大器的组成包括依次层叠设置的衬底、AlNGaN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层和ScAlN势垒层，还包括ScAlN声学薄膜、源电极、漏电极、栅电极、叉指换能器和金属互联层；所述ScAlN声学薄膜、源电极、漏电极和栅电极均设置在ScAlN势垒层远离AlN插入层的那一面，且相互之间无接触；所述叉指换能器设置在ScAlN声学薄膜远离ScAlN势垒层的那一面；所述金属互联层设置在源电极、漏电极、栅电极和叉指换能器的表面；所述非互易性兰姆波声电放大器的衬底远离AlNGaN成核层的那一面还设置有开放空腔，且开放空腔的底面还设置有背电极；所述ScAlN声学薄膜分为两部分，分别设置在ScAlN势垒层远离AlN插入层的那一面的两端；所述ScAlN声学薄膜的厚度为0.8μm～1.1μm。

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