五矿铍业股份有限公司韦方明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉五矿铍业股份有限公司申请的专利一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120349170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510820504.6，技术领域涉及：C04B35/08；该发明授权一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板及其制备方法是由韦方明;管建波;王松林;郭庆;夏雅琪设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板及其制备方法，属于陶瓷技术领域，用以解决现有方法制备的氧化铍陶瓷基板的平均晶粒尺寸大、表面粗糙度高、热导率低、室温抗折强度低等问题中至少一个。一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板，按照重量份，所述的基板的原料包括纳米氧化铍：99~99.5份、硅酸镁铝：0.2~0.5份、纳米二氧化硅0.2~0.3份。本发明通过纳米氧化铍、硅酸镁铝和纳米二氧化硅协同作用，以及特定的比例实现了氧化铍陶瓷基板的体积密度、热导率和抗折强度提升以及晶粒尺寸下降。
本发明授权一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板，其特征在于，按照重量份，所述的基板的原料由纳米氧化铍：99~99.5份、硅酸镁铝：0.2~0.5份、纳米二氧化硅：0.2~0.3份、纳米氧化钇：0.1~0.2份组成； 所述的纳米氧化铍的粒径为20~100nm，所述的硅酸镁铝的粒径为0.5~1μm，所述的纳米二氧化硅的粒径为10~30nm，纳米氧化钇的粒径为30~40nm； 所述的细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板通过热压烧结而成，所述的热压烧结的烧结温度为1600~1650℃，压力为20-30MPa，保温时间为10~30min； 所述的细晶粒氧化铍陶瓷薄膜基板的体积密度为2.913~2.929gcm3，25℃下热导率≥282Wm·K，室温抗折强度≥240MPa，平均晶粒尺寸≤10μm，抛光后表面粗糙度≤0.041μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人五矿铍业股份有限公司，其通讯地址为：410299 湖南省长沙市望城区乌山街道桃园路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励