杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有增强击穿电压的垂直D-MOSFET及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120321988B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510797115.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有增强击穿电压的垂直D-MOSFET及制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有增强击穿电压的垂直D-MOSFET及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有增强击穿电压的垂直D‑MOSFET及制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层以及P+层，单个所述MOS元胞中P+层的外侧还通过离子注入依次形成有掺杂P+层和重掺杂P+层；所述P+层、掺杂P+层和重掺杂P+层的掺杂浓度逐级递增，且截面宽度依次扩大。本发明通过在外侧P+层依次形成掺杂浓度逐级递增的P+层和重掺杂P+层，并结合截面宽度逐步扩大的设计，实现了PN结附近电场分布的缓变优化，该梯度掺杂结构有效降低了高电场集中现象，显著提升了器件的击穿电压。
本发明授权一种具有增强击穿电压的垂直D-MOSFET及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有增强击穿电压的垂直D-MOSFET，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极1、源极2、栅极3以及半导体外延层；所述半导体外延层包括N衬底层4、N漂移层5、N阱层6、P阱层7以及P+层8，其特征在于：单个所述MOS元胞中P+层8的外侧还通过离子注入依次形成有掺杂P+层9和重掺杂P+层10； 所述P+层8、掺杂P+层9和重掺杂P+层10的掺杂浓度逐级递增，且截面宽度依次扩大； 其中，所述掺杂P+层9和重掺杂P+层10是位于P+层8水平方向的外侧。
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