深圳大学王定官获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510757230.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法是由王定官;朱建宇;许凯东;易虹羽设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法，包括如下步骤：在衬底上制备高深宽比的硅通孔，所述硅通孔的深宽比≥10：1；采用ALD在硅通孔内沉积铜膜或钴膜，或先制备绝缘层和扩散阻挡层后沉积铜种子层；其中，沉积铜膜或铜种子层采用的前驱体包括二六氟乙酰丙酮铜、二甲基氨基‑2‑丙氧基铜、双二甲基氨基‑2‑丙氧基铜及双N,N'‑二仲基乙脒基铜中的至少一种、和ZnEt2；进行二次退火处理，第二次退火的温度高于第一次退火的温度。采用本发明的技术方案，得到的种子层更为致密平坦且均匀，表面、侧壁及底部的覆盖率好，有利于后续电镀层的成功制备。
本发明授权一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，在衬底上制备高深宽比的硅通孔，其中，所述硅通孔的深宽比≥10：1； 步骤S2，采用ALD在硅通孔内制备绝缘层和扩散阻挡层，然后沉积铜膜或钴膜种子层；其中，沉积铜膜或铜种子层中采用的前驱体包括二六氟乙酰丙酮铜、二甲基氨基-2-丙氧基铜、双二甲基氨基-2-丙氧基铜及双N,N'-二仲基乙脒基铜中的至少一种、和ZnEt2；沉积钴膜中采用的前驱体包括CoC5H52、C5H5CoCO2及C12H10Co2O6中的至少一种、和ZnEt2； 步骤S3，进行二次退火处理，其中第二次退火的温度高于第一次退火的温度；所述二次退火处理包括在ALD腔体内在原位真空环境或保护气氛环境下、200-300℃退火3～5h，以及置于CVD管式炉内在真空环境或保护气氛环境下、500-700℃退火3-5h。
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