北京化工大学刘文获国家专利权
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龙图腾网获悉北京化工大学申请的专利一种以SiF4为原料制备硅负极材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120247032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510521877.3，技术领域涉及：C01B33/03；该发明授权一种以SiF4为原料制备硅负极材料的方法是由刘文;谢松涛;张巧丽;刘宸昊;隋岩峰;史连军设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以SiF4为原料制备硅负极材料的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种以SiF4为原料制备硅负极材料的方法，属于电池负极材料领域。本发明提供的以SiF4为原料制备硅负极材料的方法，通过采用四氟化硅作为硅源，控制衬底的放置位置、感应射频线圈的射频功率以及反应区的温度可以同时得到微晶硅和非晶硅；通过控制四氟化硅、氢气和氩气的比例，可以进一步得到能够满足锂离子电池负极使用的硅材料。本发明提供的方法可以同时得到微晶硅和非晶硅，且微晶硅和非晶硅制备出的锂离子电池具有较好的循环寿命和库伦效率，能够作为负极材料使用。
本发明授权一种以SiF4为原料制备硅负极材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种以SiF4为原料制备硅负极材料的方法，包括： 在四氟化硅、氢气和氩气的混合气中对衬底进行等离子体增强化学气相沉积，得到硅负极材料； 所述等离子体增强化学气相沉积在电感耦合等离子体反应腔中进行；所述电感耦合等离子体反应腔包括反应腔体和感应射频线圈；所述反应腔体两端分别为进气口和出气口；所述反应腔体沿进气口方向包括依次设置的第一反应区和第二反应区；所述第一反应区外部设置有感应射频线圈； 所述等离子体增强化学气相沉积为：将第一衬底置于第一反应区，第二衬底置于第二反应区后，将四氟化硅、氢气和氩气由进气口通入反应腔体，控制感应射频线圈的射频功率为180～220W，第一反应区的温度为150～250℃，第二反应区的温度为300～500℃，在所述第一衬底表面得到微晶硅，在所述第二衬底表面得到非晶硅； 所述四氟化硅、氢气和氩气的流量比为1：1.01～2：1.01～2。
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