广州恒岩科技有限公司王永吉获国家专利权
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龙图腾网获悉广州恒岩科技有限公司申请的专利一种半导体晶圆加工用腔室结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510235174.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种半导体晶圆加工用腔室结构是由王永吉;谭星兰设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体晶圆加工用腔室结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体晶圆加工技术领域，具体的说是一种半导体晶圆加工用腔室结构，包括壳体，所述壳体内安装有两个上下布置的分隔层，所述壳体内部空间在两个分隔层的作用下形成上腔室、中腔室和下腔室，所述壳体一侧面为开口状，所述壳体开口状侧面铰接有隔热门，所述分隔层远离隔热门的一端贯穿壳体，所述分隔层背离隔热门的一面开设有插槽，所述分隔层上表面开设有用于使托举半导体晶圆的载体移动的通口，所述插槽内安插有隔板，所述隔板处于插槽外侧的一端安装有用于调整隔板温差的冷热调节件，本发明具有如下有益效果：使得隔板上表面和下表面不存在较大的温差，预防隔板因温差过大而产生应力而变形受损，起到保护隔板的作用。
本发明授权一种半导体晶圆加工用腔室结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆加工用腔室结构，包括壳体1，其特征在于：所述壳体1内安装有两个上下布置的分隔层26，所述壳体1内部空间在两个分隔层26的作用下形成上腔室、中腔室和下腔室，所述上腔室内安装有为半导体晶圆进行高温反应提供热源的第一加热件，所述中腔室内安装有为半导体晶圆进行预热提供热源的第二加热件，所述下腔室内安装有为半导体晶圆冷却提供冷源的冷却件，所述壳体1一侧面为开口状，所述壳体1开口状侧面铰接有隔热门2，所述分隔层26远离隔热门2的一端贯穿壳体1，所述分隔层26背离隔热门2的一面开设有插槽32，所述分隔层26上表面开设有用于使托举半导体晶圆的载体移动的通口33，所述插槽32内安插有隔板5，所述隔板5为空心结构，所述隔板5处于插槽32外侧的一端安装有用于调整隔板5温差的冷热调节件。
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