偲百创(深圳)科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉偲百创(深圳)科技有限公司申请的专利集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120185576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510663533.6，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法，基波谐振器和谐波谐振器为厚度延伸振动模式的谐振器，基波谐振器和谐波谐振器单晶集成于单个芯片上，基波谐振器和谐波谐振器的堆栈声学相位长度hph趋近于πn，n为谐波阶次，基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度趋近于πn‑1。本发明通过在基波谐振器区域和谐波谐振器区域设置不同厚度的介电层，使基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度为πn‑1，将基波谐振器和谐波谐振器集成到单个芯片上，从而实现更宽的频率范围和更合适的机电耦合。
本发明授权集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器，其特征在于，所述基波谐振器和谐波谐振器为厚度延伸振动模式的谐振器，且谐波谐振器的谐波阶次不小于2，所述基波谐振器和谐波谐振器单晶集成于单个芯片上，所述滤波器包括依次叠设的反射镜、底电极层、压电层、顶电极层、介电层及钝化层，所述基波谐振器和谐波谐振器的堆栈声学相位长度hph趋近于π×n，n为谐波阶次，所述堆栈声学相位长度hph为谐振器的底电极层声学相位长度、压电层声学相位长度、顶电极层声学相位长度、介电层声学相位长度及钝化层声学相位长度之和，所述基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度趋近于π×n-1，n为谐波阶次，所述基波谐振器用于工作在基波模式，所述谐波谐振器用于工作在谐波模式，所述谐波谐振器的介电层的厚度大于所述基波谐振器的介电层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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