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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120090580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510225286.1，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器是由张然;王政设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器在说明书摘要公布了：本发明公开的一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器。本发明通过下述技术方案实现：带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器，包括：偏置电压参考源电路、自适应偏置电路和射频放大器。采用偏置电压参考源电路为射频放大器提供一个与电源电压无关的偏置电压，能够保证放大器的HBT晶体放大管保持相对恒定的跨导，实现相对恒定的增益的射频放大器。采用参考电压跟随电路为射频放大器提供一个随输入信号变化而动态调整的偏置电压，解决了低功耗偏置电压下射频放大器在输入功率增大时出现增益压缩的问题，大幅提高了低功耗射频放大器的线性度。本发明涉及射频集成电路的技术领域，具体地说，涉及一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器。

本发明授权一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器在权利要求书中公布了：1.一种带有自适应偏置电路的高线性度射频放大器，其特征在于：包括并联在公共端GND与电源端VDD之间的偏置电压参考源电路、自适应偏置电路和射频放大器； 所述偏置电压参考源电路的参考电压Vref输出端与自适应偏置电路的参考电压Vref输入端连接； 所述偏置电压参考源电路的偏置电压Vb2输出端与自适应偏置电路的偏置电压Vb2输入端连接； 所述自适应偏置电路的偏置电压Vb1输出端与射频放大器的偏置电压Vb1输入端连接； 所述偏置电压参考源电路为自适应偏置电路提供一个与电源电压无关的参考电压Vref，同时为自适应偏置电路提供偏置电压Vb2； 所述自适应偏置电路通过负反馈环路，使得其为射频放大器提供的偏置电压Vb1的有效值始终跟随参考电压Vref； 所述的自适应偏置电路，包括HBT晶体管Q6、HBT晶体管Q8、HBT晶体管Q9、HBT晶体管Q10、HBT晶体管Q11、HBT晶体管Q12、HBT晶体管Q13、HBT晶体管Q14、HBT晶体管Q15、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C3、自适应偏置电路的参考电压Vref输入端、自适应偏置电路的偏置电压Vb2输入端、自适应偏置电路的偏置电压Vb1输出端； 所述HBT晶体管Q8的集电极与HBT晶体管Q9的发射极、HBT晶体管Q10的发射极相连，HBT晶体管Q8的基极与HBT晶体管Q14的基极、以及自适应偏置电路的偏置电压Vb2输入端相连，HBT晶体管Q8的发射极与电源端VDD相连； 所述HBT晶体管Q9的集电极与HBT晶体管Q11的基极、HBT晶体管Q12的集电极相连，HBT晶体管Q9的基极与电阻R2的一端相连，HBT晶体管Q9的发射极与HBT晶体管Q8的集电极、HBT晶体管Q10的发射极相连； 所述HBT晶体管Q10的集电极与HBT晶体管Q15的基极、HBT晶体管Q13的集电极、电容C3的一端相连，HBT晶体管Q10的基极与电阻R3的一端相连，HBT晶体管Q10的发射极与HBT晶体管Q8的集电极、HBT晶体管Q9的发射极相连； 所述HBT晶体管Q11的集电极与电源端VDD相连，HBT晶体管Q11的基极与HBT晶体管Q9的集电极、HBT晶体管Q12的集电极相连，HBT晶体管Q11的发射极与HBT晶体管Q12的基极、HBT晶体管Q13的基极相连； 所述HBT晶体管Q12的集电极与HBT晶体管Q11的基极、HBT晶体管Q9的集电极相连，HBT晶体管Q12的基极与HBT晶体管Q11的发射极、HBT晶体管Q13的基极相连，HBT晶体管Q12的发射极与公共端GND相连； 所述HBT晶体管Q13的集电极与HBT晶体管Q15的基极、HBT晶体管Q10的集电极、电容C3的一端相连，HBT晶体管Q13的基极与HBT晶体管Q11的发射极、HBT晶体管Q12的基极相连，HBT晶体管Q13的发射极与公共端GND相连； 所述HBT晶体管Q14的集电极与HBT晶体管Q15的集电极、HBT晶体管Q6的基极、电容C3的另一端相连，HBT晶体管Q14的基极与HBT晶体管Q8的基极、以及自适应偏置电路的偏置电压Vb2输入端相连，HBT晶体管Q14的发射极与电源端VDD相连； 所述HBT晶体管Q15的集电极与HBT晶体管Q14的集电极、HBT晶体管Q6的基极、电容C3的另一端相连，HBT晶体管Q15的基极与HBT晶体管Q10的集电极、HBT晶体管Q13的集电极、电容C3的一端相连，HBT晶体管Q15的发射极与公共端GND相连； 所述HBT晶体管Q6的集电极与电源端VDD相连，HBT晶体管Q6的基极与HBT晶体管Q14的集电极、HBT晶体管Q15的集电极、电容C3的另一端相连，HBT晶体管Q6的发射极与电阻R4的一端相连；电阻R2的一端与HBT晶体管Q9的基极相连，电阻R2的另一端与自适应偏置电路的参考电压Vref输入端相连； 所述电阻R3的一端与HBT晶体管Q10的基极相连，电阻R3的另一端与电阻R4的另一端、以及自适应偏置电路的偏置电压Vb1输出端相连； 所述电阻R4的一端与HBT晶体管Q6的发射极相连，电阻R4的另一端与电阻R3的另一端、以及自适应偏置电路的偏置电压Vb1输出端相连； 所述电容C3的一端与HBT晶体管Q13的集电极、HBT晶体管Q15的基极、HBT晶体管Q10的集电极相连，电容C3的另一端与HBT晶体管Q6的基极、HBT晶体管Q14的集电极、HBT晶体管Q15的集电极相连。

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