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龙图腾网获悉中国人民大学申请的专利一种台阶状纳米二硒化钨及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120057867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510391129.8，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权一种台阶状纳米二硒化钨及其制备方法和应用是由王志永;张星辰设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种台阶状纳米二硒化钨及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种台阶状纳米二硒化钨及其制备方法和应用。包括以下步骤：在双温区化学气相沉积系统中，将硒粉放置在气路上游，将金属钨网放置在气路下游，通过升温程序和恒温程序依次进行化学气相沉积，恒温程序结束后进行快速冷却，即可得到所述台阶状纳米二硒化钨。在硒粉所在区域的低温区中，最高反应温度为500℃；在钨网所在区域为高温区中，最高反应温度为700℃。本发明方法有效解决了现有纳米二硒化钨制备过程复杂、反应温度高、难以实现纳米尺度的精确调控、生产成本高昂等诸多问题。而且，实验结果重复性好，台阶状纳米二硒化钨在电催化领域展现出优异的催化活性和稳定性，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种台阶状纳米二硒化钨及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种台阶状纳米二硒化钨的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在双温区化学气相沉积系统中，将硒粉放置在气路上游，将金属钨网放置在气路下游，通过升温程序和恒温程序依次进行化学气相沉积，恒温程序结束后进行快速冷却，即可得到所述台阶状纳米二硒化钨； 所述硒粉所在区域为低温区；所述钨网所在区域为高温区； 所述升温程序包括：在低温区内，从室温经30-50min升温至温度A；在高温区内，从室温经30-50min升温至温度B，且温度A小于温度B； 所述恒温程序包括：在低温区内，以温度A保温1-20min；在高温区内，以温度B保温1-20min； 所述温度A为500℃；所述温度B为700℃； 所述化学气相沉积具体包括以下步骤： S1在升温程序中，低温区和高温区同时升温，在高温区温度到达温度B之前，所用载体为氩气，所述氩气的流量为80-120sccm; S2在高温区温度到达温度B时至恒温程序结束，所用载体为氢氩混合气，所述氢氩混合气的流量为80-120sccm；所述氢氩混合气中氢气和氩气的体积比为1:9-2:8。

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