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龙图腾网获悉青岛大学申请的专利用于盐差发电的高密度一维导线薄膜的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120025479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510342778.9，技术领域涉及：C08F126/06；该发明授权用于盐差发电的高密度一维导线薄膜的制备方法及其应用是由随欣;郝金林;高利龙;隋坤艳设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于盐差发电的高密度一维导线薄膜的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于盐差发电的高密度一维导线薄膜的制备方法，该方法包括：PTHLCAM‑VI的合成，将PTHLCAM‑VI配置成溶液，将配置的溶液均匀平铺在模具上，蒸发除去溶剂，得到用于盐差发电的高密度一维导线薄膜。还提供了应用，该薄膜在海洋和河流交汇处盐差能转换时可防止菌落污染。本发明制备的用于盐差发电的高密度一维导线薄膜制备方法简单、易于控制，得到的复合膜具有高离子传输量，在应用于收集盐差能时能实现高且稳定的输出。本发明提供的一维导线薄膜的能源密度可达17.0～40.5Wm2，远超过了同等条件下的商业离子交换膜。

本发明授权用于盐差发电的高密度一维导线薄膜的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于盐差发电的高密度一维导线薄膜的制备方法，其特征在于，该方法为： S1、将四氢芳樟醇和氯乙腈混合后，得到四氢芳樟醇和氯乙腈的混合物，然后在温度为0℃～5℃的冰浴条件下，边搅拌边滴加浓硫酸，稀释至体系中所述四氢芳樟醇和氯乙腈的混合物的质量分数为80%时止，除去冰浴，在温度为40℃的条件下反应12h，然后边搅拌边滴加氢氧化钠水溶液至反应体系中，将得到的粗产物溶于二氯甲烷中，用饱和氯化钠溶液洗涤3次，用无水硫酸镁干燥，然后将有机层浓缩，在室温的条件下真空干燥24h，得到物质A，命名为THLCAM； S2、将S1中得到的THLCAM和1-乙烯基咪唑加入至N,N-二甲基甲酰胺中，在温度为80℃的条件下进行季铵化反应12h，得到反应混合物，然后边搅拌边向所述反应混合物中加入甲基叔丁基醚，将沉淀物质洗涤2次，在室温的条件下真空干燥24h，得到物质B，命名为THLCAM-VI； S3、将偶氮二异丁腈和S2中得到的THLCAM-VI溶于N,N-二甲基甲酰胺中，通入氮气30min，然后在温度为65℃的油浴条件下反应24h，在温度为80℃的条件下蒸发后，加入甲基叔丁基醚，将沉淀物质洗涤2次，在室温的条件下真空干燥24h，得到物质C，命名为PTHLCAM-VI； S4、将S3中得到的PTHLCAM-VI溶于乙醇中，得到PTHLCAM-VI的乙醇溶液； S5、将S4中得到的PTHLCAM-VI的乙醇溶液平铺于模具上，在温度为45℃的条件下蒸发，得到用于盐差发电的高密度一维导线薄膜。

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