中国科学院半导体研究所王子栋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种微测辐射热计结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120008746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311516765.6，技术领域涉及：G01J5/10；该发明授权一种微测辐射热计结构及其制作方法是由王子栋;程传同;黄北举设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微测辐射热计结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种微测辐射热计结构，从下至上依次包括：衬底1、多面体结构层2、二氧化硅气凝胶层3、反射层4、保护层5、热敏感层6、电极7及光吸收层8；其中，多面体结构层2由多个多面体结构阵列式排列组成，刻蚀形成于衬底1上；二氧化硅气凝胶层3沉积于多面体结构层2以及衬底1的上表面，二氧化硅气凝胶层3的高度大于多面体结构层2的高度；热敏感层6沉积于保护层5的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于保护层5的面积；电极7沉积于保护层5、热敏感层6及光吸收层8之间。
本发明授权一种微测辐射热计结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微测辐射热计结构，其特征在于，从下至上依次包括： 衬底1、多面体结构层2、二氧化硅气凝胶层3、反射层4、保护层5、热敏感层6、电极7及光吸收层8；其中， 所述多面体结构层2由多个多面体结构阵列式排列组成，刻蚀形成于所述衬底1上； 所述二氧化硅气凝胶层3沉积于所述多面体结构层2以及所述衬底1的上表面，所述二氧化硅气凝胶层3的高度大于所述多面体结构层2的高度； 所述热敏感层6沉积于所述保护层5的上表面的第一预定区域，所述第一预定区域的面积小于所述保护层5的面积； 所述电极7沉积于所述保护层5、热敏感层6及光吸收层8之间。
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