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龙图腾网获悉矽电半导体设备(深圳)股份有限公司申请的专利测试装置、测试设备以及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510032586.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权测试装置、测试设备以及测试方法是由吴贵阳;周颖达;李鑫洋;厉辉设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试装置、测试设备以及测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及测试设备技术领域，公开了一种测试装置、测试设备以及测试方法，测试装置应用于具有控制装置的测试设备，测试装置包括安装架、驱动组件、力测量组件、测试挡片以及位移测量组件，驱动组件连接于安装架；力测量组件连接于驱动组件的驱动端，测试挡片连接于力测量组件，驱动组件适于通过力测量组件带动测试挡片接近或者远离待测物体的外表面；待测物体设有位于外表面并和测试挡片相对的真空孔，用于对测试挡片产生吸力；位移测量组件连接于安装架；力测量组件用于测量测试挡片的受力数据，位移测量组件用于测量测试挡片的位移数据；控制装置配置为根据位移数据得到测试挡片和外表面之间的间距数据，从而能够对真空孔的吸力进行测试分析。

本发明授权测试装置、测试设备以及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试装置，其特征在于，应用于测试设备，所述测试设备包括和所述测试装置通讯连接的控制装置，所述测试装置包括： 安装架； 驱动组件，所述驱动组件连接于所述安装架； 力测量组件和测试挡片，所述力测量组件连接于所述驱动组件的驱动端，所述测试挡片连接于所述力测量组件，所述驱动组件适于通过所述力测量组件带动所述测试挡片接近或者远离待测物体的外表面；所述待测物体设有位于所述外表面的真空孔，所述真空孔和所述测试挡片相对，用于对所述测试挡片产生吸力； 位移测量组件，所述位移测量组件连接于所述安装架； 孔径测量组件，连接于所述安装架，用于测量所述真空孔的孔径数据； 其中，所述力测量组件用于测量所述测试挡片的受力数据，所述位移测量组件用于测量所述测试挡片的位移数据；所述控制装置配置为根据所述位移数据得到所述测试挡片和所述外表面之间的间距数据，所述间距数据和所述受力数据一一对应，以得到所述测试挡片和所述真空孔之间的不同距离所对应的所述真空孔的吸力大小。

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