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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种模型的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119974515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510249437.7，技术领域涉及：B29C64/135；该发明授权一种模型的制备方法是由张俊虎;杨逸凡;杨柏设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模型的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种模型的制备方法，包括以下步骤：采用含有双键的硅氧烷化合物对硅基基底进行化学修饰，得到化学修饰的硅基基底；将所述化学修饰的硅基基底固定在金属平台上，按照预先构建的模型进行3D打印，在化学修饰的硅基基底上形成模型；将形成有模型的硅基基底与3D打印机的金属平台分离。本申请采用含有双键的硅氧烷化合物对硅基基底进行化学修饰，提高了模型与硅基基底的粘附力，从而能够在平整光滑的硅基基底打印尺寸小至10μm的微小模型。而且，本申请直接在硅基基底上进行模型的制备，可以直接得到硅基芯片或者微流控芯片。另一方面，本申请可以采用酸液处理使模型与硅基基底分离，不会对模型，尤其是微小模型造成损伤。

本发明授权一种模型的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种模型的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： a采用含有双键的硅氧烷化合物对硅基基底进行化学修饰，得到化学修饰的硅基基底； b将所述化学修饰的硅基基底固定在3D打印机的金属平台上，按照预先构建的模型进行3D打印，在化学修饰的硅基基底上形成模型； c将形成有模型的硅基基底与3D打印机的金属平台分离; 所述步骤a具体包括： a1将硅基基底进行预处理； a2对所述预处理后的硅基基底进行等离子体处理后，采用含有双键的硅氧烷化合物进行化学修饰，得到化学修饰的硅基基底； 所述步骤a1具体包括： 将硅基基底分别在丙酮、无水乙醇和水中清洗后，在清洗液中进行处理，水洗后得到预处理后的硅基基底； 所述清洗液包括浓硫酸、过氧化氢和水； 所述含有双键的硅氧烷化合物包括γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三β-甲氧基乙氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷中的一种或多种； 所述硅基基底选自石英、玻璃、硅片或二氧化硅陶瓷。

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