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龙图腾网获悉清华大学申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411808376.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由唐建石;苏彦博;潘立阳;高滨;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。一种半导体器件包括：衬底基板；第一源漏电极层，第一源漏电极层包括第一源极，第一漏极，第二源极以及第二漏极；第一类型半导体层，第一类型半导体层包括第一沟道层和第二沟道层；第一栅极层，第一栅极层包括第一栅极，第二栅极，以及第三栅极；第一栅极氧化层；第二栅极氧化层，第二栅极氧化层上形成第一过孔，第一过孔暴露出第一栅极；第二类型半导体层，第二类型半导体层包括第三沟道层和第四沟道层；第二源漏电极层，第二源漏电极层包括第三源极和第三漏极，以及第四源极和第四漏极。本申请提供的技术方案，使制备无电容动态随机存取存储器的工艺可以和后道制备垂直互补场效应管的工艺有效兼容。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件分为第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成有无电容动态随机存取存储器，所述第二区域用于形成有垂直互补场效应管，所述器件包括： 衬底基板； 形成在所述衬底基板上的第一源漏电极层，所述第一源漏电极层包括形成在第一区域的第一源极和第一漏极，以及形成在所述第二区域的第二源极和第二漏极； 形成在所述第一源漏电极层远离所述衬底基板一侧的第一类型半导体层，所述第一类型半导体层包括形成在第一区域的第一沟道层和形成在第二区域的第二沟道层，所述第一沟道层的两端分别与所述第一源极和所述第一漏极电连接，所述第二沟道层的两端分别与所述第二源极和所述第二漏极电连接； 第一栅极层，所述第一栅极层包括位于所述第一沟道层远离衬底基板一侧的第一栅极，位于所述第二沟道层远离衬底基板一侧的第二栅极，以及位于第一区域的第三栅极，且在所述第一栅极层靠近所述衬底基板一侧形成有第一栅极氧化层，以及所述第一栅极层远离所述衬底基板一侧形成有第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层上形成第一过孔，所述第一过孔暴露出所述第一栅极； 形成在所述第二栅极氧化层远离所述衬底基板一侧的第二类型半导体层，所述第二类型半导体层包括第三沟道层和第四沟道层，所述第三沟道层形成在所述第三栅极远离衬底基板一侧，所述第四沟道层形成在所述第二栅极远离衬底基板一侧； 形成在所述第二栅极氧化层远离所述衬底基板一侧的第二源漏电极层，所述第二源漏电极层包括第三源极和第三漏极，以及第四源极和第四漏极，所述第三源极和第三漏极分别与所述第三沟道层的两端电连接，所述第四源极和所述第四漏极分别与所述第四沟道层的两端电连接，且所述第三漏极通过所述第一过孔与所述第一栅极电连接。

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