西安电子科技大学励勇远获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利适用于高增益长续航应用的功耗无缝切换电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119945090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411980503.X,技术领域涉及:H02M1/00;该发明授权适用于高增益长续航应用的功耗无缝切换电路是由励勇远;陈文广;陈俊英;过伟;朱光前;钱利波;朱樟明设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本适用于高增益长续航应用的功耗无缝切换电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种适用于高增益长续航应用的功耗无缝切换电路,解决了现有技术中直接通过开关切换偏置电流,会给系统带来电子脉冲干扰和随机噪声问题;该电路包括:电压电流转换电路、功耗无缝切换电路和比较器电路;功耗无缝切换电路,通过比较VCTL信号中高电平的持续时间与消隐电路中设置的消隐时间的大小,并确定Y2和VSW信号的状态;并根据Y2和VSW信号得到VSML信号;电压电流转换电路对接入电阻的大小进行控制实现电压电流无缝切换,输出ISML信号;比较器电路根据VSW信号和VSML信号的状态对接入比较器电路中的电阻大小进行控制实现增益的无缝切换,输出VCMP信号;保证了系统的精度,避免休眠模式下系统紊乱。
本发明授权适用于高增益长续航应用的功耗无缝切换电路在权利要求书中公布了:1.一种适用于高增益长续航应用的功耗无缝切换电路,其特征在于,包括:电压电流转换电路、功耗无缝切换电路和比较器电路; 所述功耗无缝切换电路,包括:第一反相器、第二反相器、消隐电路、开关管M7、开关管M8、电容C1、电容C2、电阻R5、镜像管M9; 所述第一反相器的输入端输入所述VCTL信号,所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接; 第二反相器的输出端与所述消隐电路的输入端连接; 所述消隐电路的输出端Y2分别与所述开关管M7的栅端和所述开关管M8栅端连接; 所述开关管M7的源端与电源VDD连接,所述开关管M7的漏端VSW与所述开关管M8的漏端连接; 所述开关管M8的源端接地; 所述电容C1的上极板与所述电压电流转换电路中的负载电阻R1的第二端连接,所述电容C1的下极板与所述镜像管M9的漏端和所述电容C2的下级板连接; 所述电容C2的上极板与所述电压电流转换电路中的负载电阻R1的第二端连接,所述电容C2的下极板与电阻R5的第一端连接; 所述镜像管M9的栅端与VSML信号、所述电容C1的下极板连接,所述镜像管M9的源端与所述电阻R5的第二端、所述开关管M7的漏端连接 所述电压电流转换电路,包括:误差放大器EA、功率管M2、负载电阻R1、镜像管M1、镜像管M3、电阻R2和开关管M4; 所述误差放大器EA的正向输入端与参考电压VREF连接,所述误差放大器EA的负向输入端与所述功率管M2的源端、所述负载电阻R1的第一端连接,所述误差放大器EA的输出端与所述功率管M2的栅端连接; 所述镜像管M1的源端与电源VDD连接,所述镜像管M1的栅端与ISML信号、所述镜像管M1的漏极、所述功率管M2的漏端、所述比较器电路中的比较器CMP的电流偏置输入端连接; 所述负载电阻R1的第二端与所述镜像管M3的漏端连接; 所述镜像管M3的栅端与所述功耗无缝切换电路中的VSML信号连接,所述镜像管M3的源端与所述电阻R2的第二端连接; 所述电阻R2的第一端与所述负载电阻R1的第二端连接,所述电阻R2的第二端接地; 所述开关管M4的栅端与所述功耗无缝切换电路中的VSW信号连接,所述开关管M4的漏端与所述电阻R2的第一端连接,所述开关管M4的源端接地。 所述比较器电路包括:比较器CMP、镜像管M5、开关管M6、电阻R3和负载电阻R4; 所述比较器CMP的电流偏置输入端与所述电压电流转换电路中的ISML信号连接,所述比较器CMP的输出端与所述电阻R3的第一端连接; 所述电阻R3的第二端与所述开关管M6的漏端连接; 所述开关管M6的源端接地,所述开关管M6的栅端与所述功耗无缝切换电路中的VSW信号连接; 所述镜像管M5的源端接地,所述镜像管M5的栅端与功耗无缝切换电路的VSML信号连接,所述镜像管M5的漏端电阻R3的第二端连接; 所述负载电阻R4的第一端与所述电阻R3的第一端连接,所述负载电阻R4的第二端接地。
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