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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种红外双晶格光子晶体面射型激光器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119921183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510142940.2，技术领域涉及：H01S5/11；该发明授权一种红外双晶格光子晶体面射型激光器的制造方法是由王翔宇;杰克设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红外双晶格光子晶体面射型激光器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电子器件制造技术领域，具体涉及一种红外双晶格光子晶体面射型激光器的制造方法，包括材料生长和器件制作，本发明量子阱发光层采用Al0.3Ga0.7AsSbIn0.3Ga0.7AsSb多量子阱发光层，可以实现量子垒与量子阱应力匹配，对载流子损失较少，辐射复合效率高；使用Ni、Ag金属与p‑GaSb经退火形成良好的电学导通，形成接触电阻比较低，有利于电光转换效率提升；光子晶体结构孔洞直径为160~200nm；x，y间距为等间距排列，排列间距为100~150nm，孔深度为300~500nm；经以上发明设计实现的器件，x，y双晶格结构的器件电光转换效率高，阈值功率密度为可达到1.8~1.91kWcm2。本发明通过结合双晶格结构和光子晶体特性，显著提升了激光器的输出效率和频率稳定性。

本发明授权一种红外双晶格光子晶体面射型激光器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种红外双晶格光子晶体面射型激光器制造方法，其特征在于：具体包括以下步骤： 步骤一、材料生长：在基板上生长外延结构，所述外延结构依次包括GaSb缓冲层、n-AlxGa1-xAsSb扩展层、n-AlyGa1-yAsSb分布式限制层、Al0.3Ga0.7AsSbIn0.3Ga0.7AsSb多量子阱发光层、p-AlzGa1-zAsSb分布式限制层、p-AlcGa1-cAsSb扩展层、p-GaSb欧姆接触层； 所述基板厚度为200~300nm，n-AlxGa1-xAsSb扩展层厚度为2~3μm，n-AlyGa1-yAsSb分布式限制层厚度为200~300nm，p-AlzGa1-zAsSb分布式限制层厚度为200~300nm，p-AlcGa1-cAsSb扩展层厚度为200~300nm，Al0.3Ga0.7AsSbIn0.3Ga0.7AsSb多量子阱发光层104中多量子阱层厚度为5~8nm，垒层厚度为4~7nm多量子阱层厚度为5~8nm，垒层厚度为4~7nm，分别为4~6对； 步骤二、器件制作： 1光刻： 利用光刻技术在半导体芯片上光刻出直径为160~200nm孔洞；x，y间距为等间距排列，排列间距为100~150nm； 2腐蚀：通过腐蚀去除不需要的材料； 3定义： 3.1在P型半导体表面定义出p电极图形，分别蒸镀Ni、Ag、TiW欧姆接触层和Au、Ni、Pt、Au层，各层厚度为10~200nm，其中Ni层厚度为0.5~1nm；剥离后去除光刻胶，最终形成P电极层； 3.2在N型半导体表面定义出N电极图形，蒸镀Au、合金层、Au、Ti、Au层，各层厚度分别为10~200nm，剥离后去除光刻胶，最终形成n电极层；所述合金层材料为AuGe、AuGeNi； 4退火： 使用退火工艺分别将金属与P型半导体、N型半导体形成良好的电学导通。

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